[发明专利]用于沉积的FET沟道的自对准到栅极的外延源极/漏极接触

权利要求书

1.一种形成自对准器件的方法，包括：

将纳米碳管(CNT)沉积到晶体介电衬底上；

隔离所述晶体介电衬底的包围所述CNT的位置的部分；

在维持所述CNT的结构完整性的同时，在所述CNT上形成栅极电介质和栅极电极栅极叠层；以及

形成外延源极和漏极区，所述外延源极和漏极区与在所述晶体介电衬底上的所述CNT的从所述栅极电介质和栅极电极栅极叠层暴露的部分接触。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述CNT沉积包括平行地沉积所述CNT。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述隔离包括形成场掩模作为所述晶体介电衬底的所述部分的围蔽。

4.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述栅极电介质和栅极电极栅极叠层包括平行地并相对于所述CNT垂直地形成绝缘栅极叠层。

5.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述栅极电介质和栅极电极栅极叠层包括计时的反应离子蚀刻(RIE)。

6.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述栅极电介质和栅极电极栅极叠层包括计时的各向异性蚀刻及其后的湿式各向同性蚀刻。

7.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述外延源极和漏极区包括未掺杂外延生长。

8.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述外延源极和漏极区包括原位掺杂外延生长。

9.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述外延源极和漏极区包括退火。

10.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述隔离包括通过硬掩模掩蔽出场区域；

形成栅极叠层包括在所述CNT顶上构图具有硬掩模的栅极叠层以及用间隔物包封所述栅极叠层；以及

形成源极和漏极区包括邻近所述间隔物外延生长源极/漏极区以提供自对准源极/漏极。

11.根据权利要求10所述的方法，其中掩蔽包括形成所述晶体介电底层的其中沉积所述CNT的部分的围蔽。

12.根据权利要求10所述的方法，其中所述构图包括平行地并相对于所述CNT垂直地构图多个栅极叠层。

13.根据权利要求10所述的方法，其中所述构图包括所述栅极叠层的计时反应离子蚀刻(RIE)。

14.根据权利要求10所述的方法，其中所述包封包括所述间隔物的计时各向异性蚀刻及其后的所述间隔物的湿式各向同性蚀刻。

15.根据权利要求10所述的方法，其中所述外延生长包括未掺杂外延生长。

16.根据权利要求10所述的方法，其中所述外延生长包括原位掺杂外延生长。

17.根据权利要求10所述的方法，还包括所述源极/漏极区的退火。

18.一种自对准器件，包括：

多个纳米碳管(CNT)，其设置在晶体介电衬底上；

场掩模，其设置在所述晶体介电衬底上作为所述CNT的矩形平面围蔽；

多个绝缘栅极叠层，其形成在结构完整性被维持的所述CNT上；以及

外延源极和漏极区，其设置为与所述CNT的由所述绝缘栅极叠层所暴露的部分接触。

19.根据权利要求18所述的自对准器件，其中所述CNT基本上互相平行地设置，以及所述栅极叠层基本上相对于所述CNT垂直地设置。

20.根据权利要求18所述的自对准器件，其中所述晶体介电衬底包括氧化镧钇(LaYO)。

21.根据权利要求18所述的自对准器件，其中所述场掩模包括二氧化硅(SiO₂)。

22.根据权利要求18所述的自对准器件，其中所述栅极叠层包括栅极电介质、栅极叠层材料以及绝缘材料。

23.根据权利要求22所述的自对准器件，其中所述栅极电介质包括二氧化铪(HfO₂)，所述栅极叠层材料包括氮化钛(TiN)或钨(W)，以及所述绝缘材料包括氮化硅(SiN)。