[发明专利]微机电系统有效
申请号: | 201180025545.2 | 申请日: | 2011-06-15 |
公开(公告)号: | CN102906008A | 公开(公告)日: | 2013-01-30 |
发明(设计)人: | A.斯坦珀;C.V.扬斯 | 申请(专利权)人: | 国际商业机器公司 |
主分类号: | B81B3/00 | 分类号: | B81B3/00 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 邱军 |
地址: | 美国纽*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 微机 系统 | ||
1.一种形成微机电系统(MEMS)梁的方法,包括:
在牺牲层上形成下电极;
在所述下电极上形成绝缘体层;以及
在所述下电极的顶部上的绝缘材料之上形成上电极,所述上电极与所述下电极至少部分地接触,
其中所述下电极和所述上电极的形成包括:调整所述下电极和所述上电极的金属体积,以修改梁弯曲。
2.如权利要求1所述的方法,其中所述下电极和所述上电极由相同的材料形成。
3.如权利要求2所述的方法,其中所述下电极和所述上电极由Ti/AlCu/Ti/TiN组成。
4.如权利要求3所述的方法,其中所述下电极和所述上电极的热膨胀系数(CTE)接近于AlCu。
5.如权利要求1所述的方法,其中所述金属体积由铝和铜的厚度以及所述下电极和所述上电极的布局决定。
6.如权利要求5所述的方法,其中所述下电极和所述上电极的形成包括:以相同的厚度为所述下电极和所述上电极形成相同的布局。
7.如权利要求1所述的方法,其中所述下电极和所述上电极之一形成为开槽或开孔的布局,并且所述上电极和所述下电极之一分别相对于所述开槽或开口的布局的厚度减薄,以匹配所述金属体积。
8.如权利要求1所述的方法,还包括:调整所述下电极的厚度以调整应力梯度,从而使所述下电极在释放之后向上或向下偏转,或者改变由改变温度而引起的弯曲。
9.如权利要求1所述的方法,其中所述下电极和所述上电极是不对称的或不同的,并且所述下电极和所述上电极的具有较低图案因数的一个的厚度加厚,以平衡所述金属体积。
10.如权利要求1所述的方法,其中所述下电极和所述上电极的至少一个形成有图案化的形状,以降低金属小丘形成的可能性。
11.如权利要求1所述的方法,其中所述下电极具有小于所述上电极一个百分比的面积,并且所述下电极加厚一个百分比,以重新平衡所述金属体积。
12.如权利要求1所述的方法,其中所述下电极与所述上电极的图案因数比率包括0.8:1,并且所述下电极与所述上电极的体积比率包括0.93:1。
13.一种形成开关的方法,包括:形成活动梁,所述活动梁包括在导体层上的至少一个绝缘体层,使得所述导体的体积被调整,以修改梁弯曲特性。
14.如权利要求13所述的方法,其中所述活动梁由一个或更多金属层形成,包括顶部金属和底部金属,在所述顶部金属与所述底部金属之间具有氧化物层。
15.如权利要求14所述的方法,还包括:通过改变所述金属层的至少一个的厚度而变化所述顶部金属和所述底部金属的金属体积。
16.如权利要求15所述的方法,其中所述变化包括改变所述金属层的至少一个的布局。
17.如权利要求13所述的方法,其中所述修改梁弯曲特性在约-55℃至125℃的温度范围上提供。
18.一种方法,包括:
形成下电极;以及
在所述下电极的顶部上形成上电极,
其中,所述下电极和所述上电极的形成包括:相对于所述上电极平衡所述下电极的金属体积。
19.如权利要求18所述的方法,其中:
所述下电极和所述上电极由相同的材料形成;以及
金属体积由所述下电极和所述上电极的金属厚度和布局决定。
20.如权利要求18所述的方法,其中所述下电极和所述上电极之一包括开槽或开孔的布局,并且所述上电极和所述下电极之一分别相对于所述开槽或开孔的布局减薄,以匹配所述金属体积。
21.如权利要求18所述的方法,还包括:调整所述下电极的厚度以调整应力梯度,从而使所述下电极在释放之后向上偏转或向下偏转,或者改变由改变温度而引起的弯曲。
22.如权利要求18所述的方法,其中所述下电极和所述上电极是不对称的或不同的,并且所述下电极和所述上电极的具有较低图案因数的一个的厚度加厚,以平衡所述金属体积。
23.如权利要求18所述的方法,还包括:在固定布线上方或所述下电极下方的至少之一形成电介质层,以形成电容器。
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