[发明专利]氧化物烧结体、由其形成的靶和氧化物半导体薄膜

权利要求书

1.一种氧化物烧结体，其含有铟和铝的氧化物，原子比Al/(Al+In)为0.01～0.08。

2.一种权利要求1所述的氧化物烧结体的制造方法，其包括：

将平均粒径小于1.2μm的氧化铟粉末和平均粒径小于1.2μm的氧化铝粉末以原子比Al/(Al+In)为0.01～0.08的方式混合来调制混合粉末的工序；

将所述混合粉末成型来制造成型体的工序；以及

在1100℃～1550℃下将所述成型体烧成8小时以上的工序。

3.根据权利要求2所述的氧化物烧结体的制造方法，其中，在氧化气体气氛中进行所述烧成。

4.一种靶，其是对权利要求1所述的氧化物烧结体进行加工而得到的。

5.一种氧化物半导体薄膜，其是通过对权利要求4所述的靶进行溅射形成薄膜，并对所述薄膜进行退火而得到的氧化物半导体薄膜，

其中原子比Al/(Al+In)为0.01～0.08，且具有氧化铟的方锰铁矿结构。

6.根据权利要求5所述的氧化物半导体薄膜，其中，在水分压5×10^-4～7×10^-2Pa下进行所述溅射。

7.一种薄膜晶体管，其具有权利要求5或6所述的氧化物半导体薄膜作为沟道层。

8.一种显示装置，其具有权利要求7所述的薄膜晶体管。