[发明专利]有机EL元件无效
申请号: | 201180025675.6 | 申请日: | 2011-05-16 |
公开(公告)号: | CN102906895A | 公开(公告)日: | 2013-01-30 |
发明(设计)人: | 田所丰康 | 申请(专利权)人: | 日本精机株式会社 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H05B33/10 |
代理公司: | 北京三幸商标专利事务所 11216 | 代理人: | 刘激扬 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 el 元件 | ||
技术领域
本发明涉及有机EL(电致发光)元件,特别涉及有机EL元件的低电压化以及高效率化。
背景技术
以往,作为由有机材料形成的自发光元件的有机EL元件,例如已知有下述有机EL元件,其通过依次层叠:作为阳极的由ITO(氧化锡铟)等形成的第一电极、至少具有发光层的有机层、作为阴极的由铝(Al)等形成的非透光性的第二电极而形成。
该有机EL元件为:从前述第一电极注入空穴、或从第二电极注入电子而使空穴以及电子在前述发光层中再结合从而发出光的有机EL元件。使用了有机EL元件的有机EL显示器由于是自发光因而可视性优异,并且由于是完全固体元件,因而耐冲击性、在低温环境下的响应性优异,因此被采用于必须进行显示的瞬间判读的车辆用仪表等车载显示装置中。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2005-108726号公报
发明内容
发明要解决的问题
特别是车载显示装置中采用的有机EL元件对在广范围的温度环境下的高可靠性提出了要求并且对低电力化提出了要求。为了提高在低电力且高温环境下的可靠性,低电压化和高效率化是重要的课题。对此,作为用于实现低电压化和高效率的方法,可考虑在发光层与阴极之间形成电子迁移率高的电子传输层,但是存在有如下问题:电子传输层的电子迁移率高时,则电子的供给变为过量,载流子平衡发生崩溃,在发光层与阳极之间形成的空穴传输层因电子而劣化、寿命变短。
另外,如专利文献1中公开的那样,存在如下方法:通过向发光层中加入可补足主体材料所具有的载流子传输性的辅助掺杂剂,在发光层中使空穴传输性材料、电子传输性材料这样的具有相反的载流子传输性的材料混合存在,从而将发光层自身设为双极(两载流子传输性),提高发光层内的再结合概率并且提高发光效率。但是,在该方法中保持载流子平衡也是重要的,在提高高温环境下的可靠性上还有改善的余地。
因此本发明鉴于该问题而开发,其目的在于提供在低电力且高温环境下的可靠性高的有机EL元件。
用于解决问题的方案
本发明为了解决前述课题,提供一种有机EL元件,其特征在于,该有机EL元件通过将至少具有发光层的有机层层叠形成于阳极与阴极之间而成,
前述发光层至少包含:电子迁移率(μeEM)与空穴迁移率(μhEM)之比(μeEM/μhEM)为0.6以上且为10以下的主体材料;呈现发光的发光掺杂剂;以及空穴传输性掺杂剂,其中,
前述空穴传输性掺杂剂的空穴迁移率(μhHT)与前述主体材料的电子迁移率(μeEM)之比(μhHT/μeEM)为0.1以上且为10以下。
另外,其特征在于,前述空穴传输性掺杂剂在前述发光层中的浓度为50重量%以下。
另外,其特征在于,前述发光掺杂剂与前述主体材料的离子化电位的差为0.05eV以上。
发明的效果
本发明涉及有机EL元件,可提供在低电力且高温环境下的可靠性高的有机EL元件。
附图说明
图1所示为作为本发明的实施方式的有机EL元件的图。
图2所示为本发明的实施例1~7和比较例1~4的试验结果的图。
具体实施方式
以下,基于附图对本发明的实施方式进行说明。
图1所示为本发明的实施方式的图。作为本实施方式的有机EL元件具有支撑基板1、作为阳极的第一电极2、有机层3、作为阴极的第二电极4。又,有机EL元件是将涂布吸湿剂的密封基板配设于支撑基板1上而密封的有机EL元件,但是在图1中省略了该密封基板。
支撑基板1为例如由透光性的玻璃材料形成的矩形的基板。在支撑基板1上,第一电极2、有机层3以及第二电极4依次地层叠形成。
第一电极2是作为注入空穴的阳极的电极,并且由利用溅射法等手段将铟锡氧化物(ITO)层状地形成于支撑基板1上而得到的氧化物透明导电膜形成,利用光刻等手段而图案化为规定的形状而得到。另外,第一电极2的表面可实施UV/O3处理、等离子体处理等表面处理而成。
有机层3由至少包含发光层的多层形成,是形成在第一电极2上的有机层。在本实施方式中,通过从第一电极2侧起依次地使空穴注入传输层3a、发光层3b、电子传输层3c以及电子注入层3d依次层叠形成而得到。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择