[发明专利]溅射靶和/或线圈及它们的制造方法有效
| 申请号： | 201180025733.5 | 申请日： | 2011-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN103025914A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 长田健一;牧野修仁 | 申请（专利权）人： | 吉坤日矿日石金属株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 王海川;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 溅射 线圈 它们 制造 方法 | ||
1.一种溅射靶和/或线圈，其特征在于，
溅射靶和/或为了约束等离子体而配置在等离子体产生区域周围的线圈的待侵蚀表面的氢含量为500μL/cm2以下。
2.如权利要求1所述的溅射靶和/或线圈，其特征在于，
溅射靶和/或线圈的待侵蚀表面的氢含量为300μL/cm2以下。
3.如权利要求2所述的溅射靶和/或线圈，其特征在于，
溅射靶和/或线圈的待侵蚀表面的氢含量为100μL/cm2以下。
4.如权利要求1至3中任一项所述的溅射靶和/或线圈，其特征在于，
溅射靶和/或线圈包含选自由Cu、Ti、Ta、Al、Ni、Co、W、Si、Pt和Mn组成的组中的至少一种以上的元素以及不可避免的杂质。
5.一种溅射靶和/或线圈的制造方法，其特征在于，
通过在真空气氛下或者惰性气体气氛下对溅射靶和/或为了约束等离子体而配置在等离子体产生区域周围的线圈进行加热，使该靶和/或线圈的待侵蚀表面的氢含量为500μL/cm2以下。
6.如权利要求5所述的溅射靶和/或线圈的制造方法，其特征在于，
溅射靶和/或线圈的待侵蚀表面的氢含量为300μL/cm2以下。
7.如权利要求6所述的溅射靶和/或线圈的制造方法，其特征在于，
溅射靶和/或线圈的待侵蚀表面的氢含量为100μL/cm2以下。
8.如权利要求5至7中任一项所述的溅射靶和/或线圈的制造方法，其特征在于，
溅射靶和/或线圈包含选自由Cu、Ti、Ta、Al、Ni、Co、W、Si、Pt和Mn组成的组中的至少一种以上的元素以及不可避免的杂质。
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