[发明专利]半导体装置及倒装芯片安装件

权利要求书

1.一种半导体装置，具备：

基板，其具有电路形成区域；

层间绝缘膜，其形成在所述基板上；

第1密封环，其形成在所述层间绝缘膜中，且包围所述电路形成区域；

第1保护膜，其形成在所述层间绝缘膜上的包括所述电路形成区域及所述第1密封环上方在内的区域中；和

第2保护膜，其形成在所述第1保护膜上且比所述第1密封环更靠内侧，

所述第1保护膜具有与所述第2保护膜接触的第1表面、位于所述第1密封环的正上方的第2表面、和从所述第1表面连接到所述第2表面的第3表面，

所述第2保护膜的端部位于比所述第3表面更靠内侧的位置上。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

在所述第1保护膜的所述第1密封环的正上方具有第1开口部。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，

在所述第1保护膜的所述第1密封环的外侧具有第2开口部。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，

在所述层间绝缘膜中，具有包围所述第1密封环的至少1个第2密封环。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，

所述第2开口部配置在所述第1密封环与所述第2密封环之间。

6.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，

所述第2开口部形成为贯通所述第1保护膜。

7.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，

所述第2开口部形成为避免到达所述第1保护膜正下方的所述层间绝缘膜内。

8.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，

所述第2开口部配置成包围所述第1密封环。

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，

所述第2开口部配置成连续包围所述第1密封环。

10.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

在所述第1保护膜的所述第1密封环的正上方具有第1开口部，

在所述第1保护膜的所述第1密封环的外侧具有第2开口部，

所述第2开口部比所述第1开口部深。

11.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，

在所述第1保护膜的所述第2密封环的外侧具有第3开口部。

12.根据权利要求11所述的半导体装置，其中，

所述第3开口部比所述第2开口部深。

13.根据权利要求11所述的半导体装置，其中，

所述第2开口部比所述第3开口部深。

14.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，

所述第2密封环是位于最外侧的密封环。

15.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，

开口部配置在所述第1保护膜的所有密封环的正上方。

16.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述第1密封环包括被层叠的多个密封层、和在最上层的所述密封层上连接形成的间隙层。

17.根据权利要求16所述的半导体装置，其中，

所述间隙层的宽度比所述最上层的密封层的宽度大。

18.根据权利要求16或17所述的半导体装置，其中，

所述密封层由铜构成，

所述间隙层由铝构成。

19.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述第2保护膜的端部位于所述第3表面与所述电路形成区域之间。

20.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述第2保护膜的端部所处的部分的所述第1保护膜的上表面实质上是平坦的。

21.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

在所述第1密封环与所述电路形成区域之间具有避开了电路及布线的形成的隔离区域，

在所述隔离区域，所述第1保护膜的上表面实质上平坦，

所述第2保护膜的端部位于所述隔离区域上。

22.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述层间绝缘膜包括低介电常数膜。