[发明专利]光电子器件和用于制造光电子器件和复合结构的方法

权利要求书

1.光电子器件（10），所述光电子器件具有：壳体（1）；设置在所述壳体（1）中的半导体芯片（2）；和浇注料（3），其中

-所述半导体芯片（2）具有适合于产生和检测电磁辐射的有源层，

-所述浇注料（3）至少局部地包围所述半导体芯片（2），并且

-在所述浇注料（3）中嵌入反射颗粒（3a）。

2.根据权利要求1所述的光电子器件，其中

-所述壳体（1）具有空腔（4），在所述空腔的基面处设置有导线框（5a、5b），在所述导线框处设置有所述半导体芯片（2），并且

-将所述浇注料（3）引入到所述空腔（4）中。

3.根据上述权利要求之一所述的光电子器件，其中在所述浇注料（3）上设置有覆盖层（6）。

4.根据权利要求3所述的光电子器件，其中在所述覆盖层（6）中嵌入至少一种转换材料，并且/或者所述覆盖层（6）构造为透镜。

5.根据权利要求3或4所述的光电子器件，其中热膨胀系数从壳体（1）到浇注料（3）到覆盖层（6）逐步地提高。

6.根据上述权利要求之一所述的光电子器件，其中所述半导体芯片（2）沿竖直方向从所述浇注料（3）中伸出。

7.根据上述权利要求2至6之一所述的光电子器件，其中所述覆盖层（6）直接地邻接于所述浇注料（3）。

8.根据权利要求6或7所述的光电子器件，其中所述半导体芯片（2）沿竖直方向伸入到所述覆盖层（6）中。

9.根据上述权利要求之一所述的光电子器件，其中所述壳体（1）包含PPA或者环氧化物。

10.根据上述权利要求之一所述的光电子器件，其中所述覆盖层（6）和/或所述浇注料（3）包含硅树脂或者混合材料。

11.用于制造根据上述权利要求之一所述的光电子器件（10）的方法，其中借助于喷射压铸方法或者喷射铸造方法制造所述壳体（1）。

12.根据权利要求11所述的方法，其中通过将所述壳体（1）至少部分地在模具中硬化来借助于所述模具进行所述壳体（1）的成型，所述模具具有封闭的形状。

13.根据权利要求11或12所述的方法，其中将所述浇注料（3）引入到所述壳体（1）中，使得所述半导体芯片（2）沿竖直方向突出于所述浇注料（3）。

14.根据权利要求13所述的方法，其中将覆盖层（6）施加到所述浇注料（3）上，所述半导体芯片（2）伸入到所述覆盖层中。

15.用于制造由多个根据上述权利要求1至10之一所述的器件组成的复合结构的方法，其中

-所述壳体（1）具有多个空腔（4），将至少一个半导体芯片（2）分别施加到所述空腔的基面处，

-将具有反射颗粒的浇注料（3）引入到所述空腔（4）中，并且

-接下来，将所述壳体（1）分离成各个器件（10），使得每个单独的器件（10）具有至少一个半导体芯片（2）。