[发明专利]制作光学元件成形模子的方法以及光学元件成形模子有效
| 申请号： | 201180026372.6 | 申请日： | 2011-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN102933512A | 公开（公告）日： | 2013-02-13 |
| 发明（设计）人： | 久保裕之;桥本茂;平林敬二;寺西康治;大胁悠介 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社 |
| 主分类号： | C03B11/08 | 分类号： | C03B11/08;C23C16/26 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 欧阳帆 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制作 光学 元件 成形 模子 方法 以及 | ||
1.一种制作光学元件成形模子的方法，所述光学元件成形模子用于使光学元件压制成形，所述方法包括如下步骤：
在将用于光学元件成形模子的模子基体保持在浮置电位时在成膜室中布置模子基体；
在相对于模子基体的成膜表面的法线方向上形成磁场；以及
在将电压施加到用于保持模子基体的保持部件时，通过使用过滤阴极真空电弧工艺在模子基体的成膜表面上形成四面体非晶碳膜。
2.根据权利要求1所述的制作光学元件成形模子的方法，其中：
模子基体具有凸形或者凹形的成膜表面；用于保持模子基体的保持部件被保持在正电位；以及
磁场被形成为使得朝向相对于模子基体的成膜表面的法线方向在±30°内的方向形成具有大于或等于0.003特斯拉且小于0.015特斯拉的磁通密度的磁通，由此将大于或等于+10V且小于或等于+100V的电压施加到保持部件。
3.根据权利要求1所述的制作光学元件成形模子的方法，其中：
模子基体具有环形形状，成膜表面为环形模子的内侧周边表面；
模子基体被保持在浮置电位或者大于或等于-100V且小于或等于0V；
用于保持模子基体的保持部件被保持在大于或等于+20V且小于或等于+100V的电位；以及
磁场被形成为使得朝向相对于模子基体的成膜表面的法线方向在±30°内的方向形成具有大于或等于0.002特斯拉且小于0.015特斯拉的磁通密度的磁通。
4.一种光学元件成形模子，所述光学元件成形模子是通过根据权利要求1或者3所述的制作光学元件成形模子的方法制作的。
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