[发明专利]离子传感器和显示装置

权利要求书

1.一种离子传感器，其特征在于：

所述离子传感器包含场效应晶体管，

所述离子传感器还包含离子传感器天线和复位单元，

所述离子传感器天线和所述复位单元，与所述场效应晶体管的栅极电极连接，

所述复位单元能够将所述栅极电极和所述离子传感器天线的电位控制为规定的电位。

2.如权利要求1所述的离子传感器，其特征在于：

所述复位单元包含开关元件，在向所述栅极电极和所述离子传感器天线施加规定的电压后，使所述栅极电极和所述离子传感器天线成为高阻抗状态。

3.如权利要求1或2所述的离子传感器，其特征在于：

所述离子传感器还包含电容器，

所述电容器的一个端子与所述栅极电极和所述离子传感器天线连接，

所述电容器的另一个端子被设定为规定的电位。

4.如权利要求1至3中任一项所述的离子传感器，其特征在于：

所述场效应晶体管含有非晶硅或微晶硅。

5.如权利要求1至4中任一项所述的离子传感器，其特征在于：

所述场效应晶体管不具有所述栅极电极以外的栅极电极。

6.如权利要求1至4中任一项所述的离子传感器，其特征在于：

所述栅极电极是第一栅极电极，

所述场效应晶体管还具有第二栅极电极。

7.一种显示装置，其特征在于：

所述显示装置包括权利要求1至6中任一项所述的离子传感器和包含显示部驱动电路的显示部，

所述显示装置具有基板，

所述显示部驱动电路的至少一部分与所述场效应晶体管和所述离子传感器天线，形成在所述基板的同一主面上。

8.如权利要求7所述的显示装置，其特征在于：

所述复位单元形成在半导体芯片内，

所述半导体芯片安装在所述基板上。

9.如权利要求7或8所述的显示装置，其特征在于：

所述离子传感器的至少一部分和所述显示部驱动电路的至少一部分，与共用的电源连接。