[发明专利]杂质扩散层形成组合物、杂质扩散层的制造方法、以及太阳能电池元件的制造方法

权利要求书

1.一种杂质扩散层形成组合物，其含有：含供体元素或受体元素的玻璃粉末、重均分子量为5000以上且500000以下的粘结剂、以及溶剂。

2.一种n型扩散层形成组合物，其含有：含供体元素的玻璃粉末、重均分子量为5000以上且500000以下的粘结剂、以及溶剂。

3.根据权利要求2所述的n型扩散层形成组合物，其中，所述玻璃粉末含有玻璃成分物质和含供体元素的物质，所述含供体元素的物质的含有比率相对于该玻璃粉末为1质量％以上且75质量％以下。

4.根据权利要求2或3所述的n型扩散层形成组合物，其在25℃下的pH值为2～13的范围。

5.根据权利要求2～4中任一项所述的n型扩散层形成组合物，其中，所述供体元素为选自磷P及锑Sb中的至少1种。

6.根据权利要求2～5中任一项所述的n型扩散层形成组合物，其中，所述含供体元素的玻璃粉末含有：选自P₂O₃、P₂O₅及Sb₂O₃中的至少1种含供体元素的物质和选自SiO₂、K₂O、Na₂O、Li₂O、BaO、SrO、CaO、MgO、BeO、ZnO、PbO、CdO、SnO、ZrO₂、及MoO₃中的至少1种玻璃成分物质。

7.根据权利要求2～6中任一项所述的n型扩散层形成组合物，其还含有选自Ag、Si、Cu、Fe、Zn及Mn中的至少1种金属。

8.根据权利要求7所述的n型扩散层形成组合物，其中，所述金属为银Ag。

9.一种n型扩散层的制造方法，其具有：在半导体基板上涂布权利要求2～8中任一项所述的n型扩散层形成组合物的工序；以及实施热扩散处理的工序。

10.一种太阳能电池元件的制造方法，其具有：在半导体基板上涂布权利要求2～8中任一项所述的n型扩散层形成组合物的工序；实施热扩散处理而形成n型扩散层的工序；以及在所形成的n型扩散层上形成电极的工序。

11.一种p型扩散层形成组合物，其含有：含受体元素的玻璃粉末、重均分子量为5000以上且500000以下的粘结剂、以及溶剂。

12.根据权利要求11所述的p型扩散层形成组合物，其中，所述玻璃粉末含有玻璃成分物质和含受体元素的物质，所述含受体元素的物质在该玻璃粉末中的含有比率为1质量％以上且90质量％以下。

13.根据权利要求11或12所述的p型扩散层形成组合物，其在25℃下的pH值为2～13的范围。

14.根据权利要求11～13中任一项所述的p型扩散层形成组合物，其中，所述受体元素为选自硼B、铝Al及镓Ga中的至少1种。

15.根据权利要求11～14中任一项所述的p型扩散层形成组合物，其中，所述含有受体元素的玻璃粉末含有：选自B₂O₃、Al₂O₃及Ga₂O₃中的至少1种含受体元素的物质和选自SiO₂、K₂O、Na₂O、Li₂O、BaO、SrO、CaO、MgO、BeO、ZnO、PbO、CdO、Tl₂O、SnO、ZrO₂、及MoO₃中的至少1种玻璃成分物质。

16.一种p型扩散层的制造方法，其具有：在半导体基板上涂布权利要求11～15中任一项所述的p型扩散层形成组合物的工序；以及实施热扩散处理的工序。

17.一种太阳能电池元件的制造方法，其具有：在半导体基板上涂布权利要求11～15中任一项所述的p型扩散层形成组合物的工序；实施热扩散处理而形成p型扩散层的工序；以及在所形成的p型扩散层上形成电极的工序。