[发明专利]溅射成膜装置有效

专利信息
申请号: 201180027118.8 申请日: 2011-06-02
公开(公告)号: CN102906303A 公开(公告)日: 2013-01-30
发明(设计)人: 矶部辰德;大野哲宏;佐藤重光;须田具和 申请(专利权)人: 株式会社爱发科
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35;C23C14/10
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 李婷;杨楷
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 溅射 装置
【权利要求书】:

1.一种溅射成膜装置,

具有:

真空槽、

对上述真空槽内进行真空排气的真空排气装置、

向上述真空槽内导入气体的气体导入系统、

具有露出到上述真空槽内的溅射面的靶材、

配置在上述真空槽内、以包围上述靶材的上述溅射面的周围的方式设置于上述靶材的防附着部件、

配置在上述靶材的与上述溅射面相反的背面侧的磁体装置、向上述靶材施加电压的电源装置、

和令上述磁体装置沿平行于上述靶材的上述背面的方向移动的移动装置,

上述磁体装置具有对置于上述靶材的上述背面的环形状的外周磁体、和配置在上述外周磁体所形成的环的内侧的中心磁体,上述外周磁体对置于上述靶材的上述背面的部分的磁极的极性与上述中心磁体对置于上述靶材的上述背面的部分的磁极的极性相互不同,

其中,

上述防附着部件由绝缘性的陶瓷形成,

上述移动装置令上述磁体装置在上述外周磁体的外周整体进入比上述溅射面的外周靠内侧的位置、和上述外周磁体的外周的一部分向上述溅射面的外周的外侧伸出的位置之间移动。

2.根据权利要求1所述的溅射成膜装置,其特征在于,

上述靶材为Si,上述气体导入系统具有放出O2气体的O2气体源。

3.根据权利要求1或2所述的溅射成膜装置,其特征在于,

具有多个包含上述靶材、设置于上述靶材的上述防附着部件、配置于上述靶材的上述背面侧的上述磁体装置的溅射部,

各上述溅射部的上述靶材相互地分离而排列为一列地配置,各上述溅射面朝向被运入至上述真空槽内的成膜对象物,

上述电源装置构成为向各上述溅射部的上述靶材分别施加电压,

上述移动装置令一个上述溅射部的上述磁体装置在下述位置之间移动:该磁体装置的上述外周磁体的外周整体进入比该溅射部的上述靶材的上述溅射面的外周靠内侧的位置、和该外周磁体的外周的一部分伸出到该靶材的上述溅射面的外周与邻接于该靶材的其他的上述溅射部的上述靶材的上述溅射面的外周之间的位置。

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