[发明专利]包括减小其他存储单元的影响的对非易失性存储器的编程有效
申请号: | 201180027182.6 | 申请日: | 2011-04-14 |
公开(公告)号: | CN102985976A | 公开(公告)日: | 2013-03-20 |
发明(设计)人: | 董颖达;李世钟;大和田宪 | 申请(专利权)人: | 桑迪士克技术有限公司 |
主分类号: | G11C16/10 | 分类号: | G11C16/10;G11C16/34;G11C11/56 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 李春晖;李德山 |
地址: | 美国德*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 包括 减小 其他 存储 单元 影响 非易失性存储器 编程 | ||
1.一种用于对非易失性存储器进行编程的方法,包括:
使用编程信号对第一组非易失性存储单元和第二组非易失性存储单元一起进行编程以及一起进行验证;
确定第一条件存在;
响应于确定所述第一条件存在来降低所述编程信号;以及
使用响应于确定所述第一条件存在而被降低了的所述编程信号来独立于对所述第二组非易失性存储单元进行的编程对所述第一组非易失性存储单元进行编程。
2.根据权利要求1所述的方法,其中:
所述第一组非易失性存储单元和所述第二组非易失性存储单元连接至共用控制线,并且接收所述共用控制线上的所述编程信号。
3.根据权利要求1或2所述的方法,还包括:
在确定所述第一条件存在后,对所述第一组非易失性存储单元和所述第二组非易失性存储单元一起进行验证。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法,还包括:
确定第二条件存在;
响应于确定所述第二条件存在来升高所述编程信号;以及
使用响应于确定所述第二条件存在而被升高了的用于编程的所述编程信号来对所述第一组非易失性存储单元和所述第二组非易失性存储单元一起进行编程以及一起进行验证。
5.根据权利要求4所述的方法,其中:
所述确定第二条件存在包括:确定期望编程到一个或更多个数据状态的子集的所述第一组非易失性存储单元和所述第二组非易失性存储单元中的至少预定数量的非易失性存储单元已被成功地编程到了所述一个或更多个数据状态的子集。
6.根据权利要求4所述的方法,其中:
确定所述第二条件存在包括确定已经进行了预定量的编程。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的方法,其中:
响应于确定所述第二条件存在,通过一组多个编程验证迭代来升高所述编程信号。
8.根据权利要求7所述的方法,其中:
在所述确定第一条件存在前,所述编程信号具有以特定速度增大的幅度;以及
所述升高所述编程信号包括:将所述编程信号升高到一个值,所述值基于所述编程信号在没有响应于确定所述第一条件存在而被减小的情况下的幅度。
9.根据权利要求1至3中任一项所述的方法,还包括:
确定第二条件存在,在所述确定第一条件存在前,所述编程信号具有以特定速度增大的幅度;
响应于确定所述第二条件存在,将所述编程信号升高到一个值,所述值基于所述编程信号在没有响应于确定所述第一条件存在而被减小的情况下的幅度;以及
使用响应于确定所述第二条件存在而被升高了的所述编程信号来对所述第一组非易失性存储单元和所述第二组非易失性存储单元一起进行编程以及一起进行验证。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的方法,其中:
所述确定第一条件存在包括:确定期望编程到一个或更多个数据状态的特定集合的所述第一组非易失性存储单元和所述第二组非易失性存储单元中的至少预定数量的非易失性存储单元被成功地编程到了所述一个或更多个数据状态的特定集合;
将所述第一组非易失性存储单元和所述第二组非易失性存储单元编程到一组数据状态;以及
所述一个或更多个数据状态的特定集合是所述一组数据状态的最接近已擦除状态的子集。
11.一种非易失性存储装置,包括:
多个非易失性存储单元,包括第一组非易失性存储单元和第二组非易失性存储单元;以及
与所述非易失性存储单元通信的一个或更多个管理电路,所述一个或更多个管理电路使用编程信号对所述第一组非易失性存储单元和所述第二组非易失性存储单元一起进行编程以及一起进行验证,所述一个或更多个管理电路确定第一条件存在并且响应于确定所述第一条件存在来降低所述编程信号,所述一个或更多个管理电路使用响应于确定所述第一条件存在而被降低了的所述编程信号来独立于对所述第二组非易失性存储单元进行的编程对所述第一组非易失性存储单元进行编程。
12.根据权利要求11所述的装置,其中:
所述第一组非易失性存储单元和所述第二组非易失性存储单元连接到共用控制线并且接收所述共用控制线上的所述编程信号。
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