[发明专利]用于短生命周期物种的具有内建等离子体源的处理腔室盖设计

权利要求书

1.一种用于等离子体增强处理一个或多个基板的腔室，所述腔室包括：

腔室主体，所述腔室主体限定处理空间；

基板支撑件，所述基板支撑件设置在所述处理空间中并且被配置为支撑一个或多个基板；

处理盖组件，所述处理盖组件设置在所述基板支撑件上方，其中所述处理盖组件具有等离子体空腔，所述等离子体空腔被配置为生成等离子体并且提供一种或多种自由基物种到所述处理空间；

RF（射频）电源，所述RF（射频）电源耦接所述处理盖组件；

等离子体形成气体源，所述等离子体形成气体源耦接所述处理盖组件；和

反应气体源，所述反应气体源耦接所述处理盖组件。

2.如权利要求1所述的腔室，其中所述处理盖组件包括：

第一电极，所述第一电极具有：

多个第一通路，所述多个第一通路耦接所述第一电极的第一表面与所述第一电极的第二表面，用于输送含等离子体的气体到所述处理空间，其中所述第一电极的所述第一表面面向所述处理空间；和

多个第二通路，所述多个第二通路使所述第一电极的所述第一表面耦接所述第一电极的所述第二表面，以输送反应气体到所述处理空间；

第二电极，所述第二电极实质上平行于所述第一电极，所述第二电极具有多个第三通路，所述多个第三通路耦接所述第二电极的第一表面与所述第二电极的第二表面，以输送等离子体形成气体到等离子体空腔，其中所述第二电极的所述第一表面面向所述等离子体空腔；和

绝缘体，所述绝缘体设置在所述第一电极与第二电极之间接近所述第一电极与第二电极的周边处，其中所述等离子体空腔限定在所述第一电极、所述第二电极与所述绝缘体之间，且其中所述第二电极适于耦接RF电源，而所述第一电极适于耦接接地端。

3.如权利要求2所述的腔室，其中所述处理盖组件具有：

第一气体区域，所述第一气体区域定位在所述等离子体空腔上方，并且经由所述多个第三通路耦接所述等离子体空腔，用于供应所述等离子体形成气体到所述等离子体空腔；和

第二气体区域，所述第二气体区域定位在所述第一气体区域与所述等离子体空腔之间，用于供应前驱物气体到所述处理空间，其中所述第二气体区域适于经由所述多个第二通路耦接所述处理空间。

4.如权利要求3所述的腔室，其中所述处理盖组件进一步包括：

阻挡板，所述阻挡板定位在所述第二电极上，其中所述第二气体区域限定在所述阻挡板与所述第二电极之间。

5.如权利要求4所述的腔室，其中所述处理盖组件进一步包括：

水箱，所述水箱定位在所述阻挡板上，其中所述第一气体区域限定在所述阻挡板与所述水箱之间。

6.如权利要求4所述的腔室，其中所述阻挡板具有多个第四通路，所述多个第四通路将所述阻挡板的第一表面耦接所述阻挡板的第二表面，以与所述多个第三通路耦接，用于输送含等离子体的气体到所述处理空间。

7.如权利要求2所述的腔室，其中将所述第二电极的第一表面耦接所述第一电极的第二表面的所述多个第三通路的每一个都是由锥形通道限定，所述锥形通道朝向所述第二电极的所述第一表面开启，且所述锥形通道连接至朝向所述第二电极的所述第二表面开启的钻孔。

8.如权利要求7所述的腔室，其中所述锥形通道形成在约20度至约30度之间的角度。

9.一种用于提供反应气体的自由基到处理空间的处理盖组件，所述处理盖组件包括：

第一电极，所述第一电极具有：

多个第一通路，所述多个第一通路耦接所述第一电极的第一表面与所述第一电极的第二表面，用于输送含等离子体的气体到处理空间，其中所述第一电极的所述第一表面适于面向所述处理空间；和

多个第二通路，所述多个第二通路使所述第一电极的所述第一表面耦接所述第一电极的所述第二表面，以输送前驱物气体到所述处理空间；和

第二电极，所述第二电极实质上平行于所述第一电极，所述第二电极具有多个第三通路，所述多个第三通路耦接所述第二电极的第一表面与所述第二电极的第二表面，以输送等离子体形成气体到等离子体空腔，其中所述等离子体空腔限定在所述第一电极与所述第二电极之间，而所述第二电极的所述第一表面面向所述等离子体空腔，其中所述第二电极适于耦接RF电源，而所述第一电极适于耦接接地端。