[发明专利]减反射涂层组合物、减反射膜及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201180027966.9 申请日: 2011-04-06
公开(公告)号: CN102933663A 公开(公告)日: 2013-02-13
发明(设计)人: 金宪;张影来;郑顺和;朴真荣;金芙敬 申请(专利权)人: LG化学株式会社
主分类号: C09D5/00 分类号: C09D5/00;C09D7/12;B05D5/00;G02B1/11;C09D201/00
代理公司: 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 代理人: 黄丽娟;陈英俊
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 反射 涂层 组合 减反射膜 及其 制备 方法
【说明书】:

技术领域

本发明涉及减反射涂层组合物、减反射膜及其制备方法。

背景技术

一般而言,例如PDP、CRT和LCD等的显示装置都配置有减反射膜(或防眩膜)以最大程度地降低从外部进入屏幕的光的反射。

在目前的减反射膜中,减反射层主要设置在透光基底上,并且广泛使用具有三层结构的减反射层,其中顺序沉积硬涂层、厚度1μm以上的高折射率层、以及低折射率层(例如,专利文献1)。

近来,为了简化制备工艺,在减反射层中省略了高折射率层,并且通常使用沉积有硬涂层和低折射率层的双层结构。(例如,专利文献2)。

而且,为了结合防眩性能和耐划伤性,使用了配置防眩硬涂层的减反射膜。对此,已经有人提出了通过将防眩硬涂层的厚度控制为形成面层(mat)的透光粒子平均粒径的50~90%来同时实现防眩性能和透光性的技术(例如,专利文献3)。

同时,通常用干法或湿法制备减反射膜。

按照干法,通过沉积或溅射将低折射率材料(例如,MgF2和SiO2等)沉积在作为薄膜的基膜上,或者将高折射率材料(例如,ITO(锡掺杂的氧化铟)、ATO(锡掺杂的氧化锑)、ZnO和TiO2等)和低折射率材料交替沉积。虽然干法可以制备强界面粘附的减反射膜,但是由于高制备成本没有在商业上广泛使用。

同时,按照湿法,将包含聚合物树脂和有机溶剂等的涂层组合物涂布在基膜上,干燥并固化。并且,由于与干法相比相对较低的制备成本,湿法在商业上被广泛使用。

但是,因为湿法应当分别进行形成包括在减反射膜中的硬涂层、高折射率层和低折射率层等中的各个层的工艺,所以制备工艺复杂,且界面粘附较弱。

因此,对于通过单次湿法涂布能够形成2个或更多个层的减反射涂层组合物正在进行积极研究。

但是,因为通过涂布组合物不能顺利地实现相分离,仍然存在许多问题,包括各个层功能劣化。

参考文献

专利文献

(专利文献1)日本公开专利公布No.2002-200690

(专利文献2)日本公开专利公布No.2000-233467

(专利文献3)日本公开专利公布No.8-309910

发明内容

技术问题

因此,本发明提供了一种减反射涂层组合物,其仅通过单次涂布工艺就可以顺利地相分离成至少两层。

本发明还提供了使用上述组合物制备的减反射膜。

本发明还提供了使用上述组合物通过更简化的工艺制备减反射膜的方法。

技术方案

根据本发明,提供了一种减反射涂层组合物,其包含表面上涂布有氟基化合物(fluorine-based compound)的中空粒子,该氟基化合物的折射率为1.3~1.4并且表面张力为10~25mN/m。

涂布在中空粒子表面上的氟基化合物可以是含氟的烷氧基硅烷化合物。

优选地,涂布在中空粒子表面上的氟基化合物可以是选自十三氟辛基三乙氧基硅烷、十七氟癸基三甲氧基硅烷和十七氟癸基三异丙氧基硅烷中的至少一种化合物。

此外,根据本发明,提供了一种减反射涂层组合物,其包含:中空粒子;表面上涂布有氟基化合物的中空粒子,该氟基化合物的折射率为1.3~1.4并且表面张力为10~25mN/m;可光聚合化合物;光聚合引发剂;以及溶剂。

基于100重量份的可光聚合化合物,所述减反射涂层组合物可以包含1~20重量份的中空粒子;1~60重量份的表面上涂布有氟基化合物的中空粒子;1~20重量份的光聚合引发剂;以及100~500重量份的溶剂。

表面上涂布有氟基化合物的中空粒子与中空粒子的重量比可以为1:0.1~20。

而且,中空粒子和表面上涂布有氟基化合物的中空粒子的数均粒径可以为1~200nm。

此外,溶剂可以具有20~30的介电常数(25℃)和1.7~2.8的偶极矩。

优选地,溶剂可以为选自甲基乙基酮、乙酸乙酯、乙酰丙酮、异丁酮、甲醇、乙醇、正丁醇、异丁醇和叔丁醇中的至少一种。

同时,根据本发明,提供了一种减反射膜,其包括基膜以及在该基膜上形成的硬涂层和低折射率层,其中,该低折射率层包含表面上涂布有氟基化合物的中空粒子,该氟基化合物的折射率为1.3~1.4并且表面张力为10~25mN/m,并且该表面上涂布有氟基化合物的中空粒子在膜厚度方向上具有分布梯度。

所述中空粒子的分布梯度可以沿离开基膜的方向增加。

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