[发明专利]太阳能电池制造工艺中膜叠堆的烧蚀

权利要求书

1.一种制造太阳能电池的方法，所述方法包括：

提供膜叠堆，所述膜叠堆包括第一膜和第二膜，所述第一膜在所述第二膜上形成，所述第一膜包含在激光源的工作波长下具有吸收性的材料；

在以一定脉冲重复率发射的所述激光源的单个脉冲重复内，形成穿过所述第一膜和所述第二膜的孔，从而暴露所述第二膜下面的另一材料层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一膜包含硅。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一膜包含非晶硅。

4.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述单个脉冲重复内，形成穿过所述第一膜、所述第二膜和第三膜的孔。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述第一膜包含硅，所述第二膜包含二氧化硅，并且所述第三膜包含氮化硅，所述第三膜在所述第一膜上形成。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述孔暴露所述太阳能电池的扩散区。

7.根据权利要求1所述的方法，其中第一激光脉冲和第二激光脉冲在所述单个脉冲重复内发射，所述第二激光脉冲在发射所述第一激光脉冲后的一定延迟时间之后发射。

8.根据权利要求1所述的方法，其中具有第一峰和第二峰的时间不对称激光脉冲在所述单个脉冲重复内发射，所述第一峰的能量高于所述第二峰的能量。

9.一种制造太阳能电池的方法，所述方法包括：

在以一定重复率发射激光脉冲的激光源的单个重复内发射一个激光脉冲，所述激光脉冲在时间上是不对称的并具有第一峰和第二峰，在所述单个重复内所述第一峰比所述第二峰先出现，所述第一峰的能量高于所述第二峰的能量；

用所述激光脉冲的所述第一峰烧蚀膜叠堆的第一膜和第二膜，以形成穿过所述第一膜和所述第二膜的孔，所述第二膜是导电的；以及

用所述激光脉冲的所述第二峰烧蚀第三膜，以形成穿过所述膜叠堆的所述第一膜、所述第二膜和所述第三膜的孔，从而通过所述孔暴露所述太阳能电池的扩散区。

10.根据权利要求9所述的方法，还包括形成通过所述孔到达所述扩散区的金属触点。

11.根据权利要求9所述的方法，其中所述第二膜包含非晶硅，并且所述第三膜包含二氧化硅。

12.根据权利要求9所述的方法，其中所述第二膜包含非晶硅。

13.根据权利要求9所述的方法，其中所述扩散区在多晶硅层中形成。

14.根据权利要求9所述的方法，其中所述第一膜包含一层氮化硅，并且所述第二膜包含非晶硅。

15.一种制造太阳能电池的方法，所述方法包括：

在以一定重复率发射激光脉冲的激光源的单个重复内发射第一激光脉冲和第二激光脉冲；

用所述第一激光脉冲烧蚀膜叠堆的第一膜和第二膜，以形成穿过所述第一膜和所述第二膜的孔，所述第二膜是导电的；以及

用所述第二激光脉冲烧蚀所述膜叠堆的第三膜，以形成穿过所述膜叠堆的所述第一膜、所述第二膜和所述第三膜的孔，从而通过所述孔暴露所述太阳能电池的扩散区。

16.根据权利要求15所述的方法，还包括形成通过所述孔到达所述扩散区的金属触点。

17.根据权利要求15所述的方法，其中所述第二激光脉冲由所述激光源在发射所述第一激光脉冲后1ns与1μs之间发射。

18.根据权利要求15所述的方法，其中所述第二膜包含非晶硅，并且所述第三膜包含二氧化硅。

19.根据权利要求15所述的方法，其中所述第二激光脉冲的能量等于或小于所述第一激光脉冲的能量。

20.根据权利要求15所述的方法，其中所述扩散区在一硅层中形成。

21.根据权利要求15所述的方法，其中所述第一膜包含一层氮化硅，并且所述第二膜包含非晶硅。