[发明专利]电感结构

权利要求书

1.一种电感结构，包含：

第一磁芯结构，所述第一磁芯结构粘合地附着到半导体结构；

第一非导电层，所述第一非导电层接触所述第一磁芯结构的顶表面；

线圈，所述线圈接触所述第一非导电层并位于所述第一磁芯结构上方；

第二非导电层，所述第二非导电层接触所述线圈的顶表面；以及

第二磁芯结构，所述第二磁芯结构接触所述第二非导电层，所述第二磁芯结构直接位于所述第一磁芯结构上方。

2.根据权利要求1所述的电感结构，其中所述第一磁芯结构的各部分都不位于所述线圈的任何回路之间。

3.根据权利要求2所述的电感结构，其中所述线圈的回路位于所述第二磁芯结构的第一部分和第二部分之间。

4.根据权利要求3所述的电感结构，其中所述半导体结构包括空腔，所述第一磁芯结构位于所述空腔中。

5.根据权利要求4所述的电感结构，其中所述第一非导电层位于所述空腔中。

6.根据权利要求1所述的电感结构，其中所述线圈包括：

第一线圈结构，所述第一线圈结构接触所述第一非导电层；

第三非导电层，所述第三非导电层接触所述第一线圈结构；以及

第二线圈结构，所述第二线圈结构接触所述第三非导电层并直接位于所述第一线圈结构上方，所述第二线圈结构电连接到所述第一线圈结构。

7.根据权利要求1所述的电感结构，其中所述第二磁芯结构粘合地附着到所述第二非导电层。

8.根据权利要求1所述的电感结构，进一步包含粘合地附着到所述半导体结构的集成电路。

9.根据权利要求8所述的电感结构，其中所述集成电路电连接到所述线圈。

10.根据权利要求9所述的电感结构，进一步包含：

第一金属结构，所述第一金属结构接触所述线圈；

第二金属结构，所述第二金属结构接触所述第一金属结构并直接位于所述第一金属结构上方；以及

第三金属结构，所述第三金属结构接触所述第二金属结构和所述集成电路。

11.一种形成电感结构的方法，包含：

放置第一磁芯结构，使其接触半导体结构；

形成第一非导电层，使其接触所述第一磁芯结构的顶表面；

形成线圈，使其接触所述第一非导电层并位于所述第一磁芯结构上方；

形成第二非导电层，使其接触所述线圈的顶表面；以及

放置第二磁芯结构，使其接触所述第二非导电层。

12.根据权利要求11所述的方法，其中：

将所述第一磁芯结构粘合地附着到所述半导体结构；以及

将所述第二磁芯结构粘合地附着到所述第二非导电层。

13.根据权利要求11所述的方法，其中所述第一磁芯结构的各部分都不位于所述线圈的任何回路之间。

14.根据权利要求13所述的方法，其中所述线圈的回路位于所述第二磁芯结构的第一部分和第二部分之间。

15.根据权利要求14所述的方法，进一步包含在所述半导体结构中形成空腔，所述第一磁芯结构位于所述空腔中。

16.根据权利要求11所述的方法，其中形成所述线圈包括：

形成第一线圈结构，使其接触所述第一非导电层；

形成第三非导电层，使其接触所述第一线圈结构；以及

形成第二线圈结构，使其接触所述第三非导电层并直接位于所述第一线圈结构上方，所述第二线圈结构电连接到所述第一线圈结构。

17.根据权利要求11所述的方法，进一步包含将集成电路附着到所述半导体结构。

18.根据权利要求17所述的方法，进一步包含在所述第一非导电层中形成开口，所述开口使所述第一磁芯结构暴露。

19.根据权利要求18所述的方法，其中所述顶部磁芯段位于所述第一开口中。

20.根据权利要求19所述的方法，进一步包含：

形成接触所述线圈的第一金属结构；

形成接触所述第一金属结构并直接位于所述第一金属结构上方的第二金属结构；以及

形成接触所述第二金属结构和所述集成电路的第三金属结构。