[发明专利]发光二极管装置和尤其带有这种发光二极管装置的发光机构有效

专利信息
申请号: 201180028628.7 申请日: 2011-04-13
公开(公告)号: CN102939794A 公开(公告)日: 2013-02-20
发明(设计)人: 诺温·文马尔姆;胡贝特·迈瓦尔德;罗伯特·克劳斯;帕特里克·罗德;拉尔夫·维尔特 申请(专利权)人: 欧司朗光电半导体有限公司
主分类号: H05B33/08 分类号: H05B33/08;F21K99/00;H01L41/04;F21V23/02
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 张春水;田军锋
地址: 德国雷*** 国省代码: 德国;DE
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 发光二极管 装置 尤其 带有 这种 发光 机构
【权利要求书】:

1.发光二极管装置,具有:

-压电变压器(1),所述压电变压器具有至少一个输出侧连接点(11),和

-高压发光二极管(2),所述高压发光二极管包括高压发光二极管芯片(21),其中

-所述高压发光二极管(2)电连接到所述压电变压器(1)的所述输出侧连接点(11)上并且

-所述高压发光二极管芯片(21)包括至少两个彼此串联的有源区域(200)。

2.根据上一项权利要求所述的发光二极管装置,

其中所述压电变压器(1)构成为框架形的,并且所述压电变压器(1)侧向地包围所述高压发光二极管(2)中的至少一个。

3.根据上述权利要求之一所述的发光二极管装置,

其中所述压电变压器(1)具有至少两个输出侧连接点(11),并且带有高压发光二极管芯片(21)的高压发光二极管(1)电连接到每个输出侧连接点(11)上,其中每个高压发光二极管芯片(21)包括至少两个彼此串联的有源区域(200)。

4.根据上述权利要求之一所述的发光二极管装置,

其中所述高压发光二极管(2)中的至少一个包括多于一个高压发光二极管芯片(21),其中每个高压发光二极管芯片(21)包括至少两个彼此串联的有源区域(200)。

5.根据上述权利要求之一所述的发光二极管装置,

其中多于一个高压发光二极管(2)连接到所述压电变压器(1)的所述输出侧连接点(11)中的至少一个上。

6.根据上述权利要求之一所述的发光二极管装置,

其中所述高压发光二极管(2)中的至少一个或所述高压发光二极管芯片(21)中的至少一个能够用交流电压驱动。

7.根据上述权利要求之一所述的发光二极管装置,

其中所述压电变压器(1)的所述输出侧连接点(11)中的每一个提供能够预设的输出电压和能够预设的最大输出电流。

8.根据上一项权利要求所述的发光二极管装置,

其中两个不同的输出侧连接点(11)的所述输出电压和/或所述最大输出电流不同。

9.根据上述权利要求之一所述的发光二极管装置,具有

-连接支承体(3),所述连接支承体具有装配面(3a),其中

-所述高压发光二极管(2)中的至少一个固定在所述装配面(3a)上并且与所述连接支承体(3)导电地连接,

-所述压电变压器(1)与所述连接支承体(3)导电地连接,并且

-所述高压发光二极管(2)中的至少一个经由所述连接支承体(3)连接到所述压电变压器(1)的所述输出侧连接点(11)上。

10.发光机构,具有:

-至少一个发光二极管装置(7),所述发光二极管装置具有压电变压器(1)和发光二极管(8),所述压电变压器具有至少一个输入侧连接点(12)和至少一个输出侧连接点(11),所述发光二极管包括发光二极管芯片(81),

-壳体本体(5),所述壳体本体包围容积(51),所述发光二极管装置(7)完全设置在所述容积(51)中,

-灯头(6),所述灯头包括至少一个灯头接触部(61),其中

-所述发光二极管(8)电连接到所述压电变压器(1)的所述输出侧连接点(11)上,并且

-所述压电变压器(1)的所述至少一个输入侧连接点(12)与所述至少一个灯头接触部(61)导电地连接。

11.根据上一项权利要求所述的发光机构,具有至少一个根据权利要求1至9所述的发光二极管装置(7)。

12.根据权利要求10或11之一所述的发光机构,具有:

-冷却体(4),所述冷却体与所述至少一个发光二极管装置(7)导热地连接,

其中

-所述冷却体(4)完全地设置在由所述壳体本体(5)包围的所述容积(51)中,并且

-所述冷却体(4)填充所述容积(51)的至少20%。

13.根据权利要求10至12之一所述的发光机构,

其中所述压电变压器(1)设置在所述灯头(6)和所述连接支承体(3)之间。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于欧司朗光电半导体有限公司,未经欧司朗光电半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201180028628.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top