[发明专利]具有定制的相分离的半哈斯勒/哈斯勒合金

权利要求书

1.无机金属间化合物，其特征在于，所述化合物每化学式单元含有至少两种元素并且由至少2相构成，其中至少一相是半导体或者半金属的。

2.根据权利要求1所述的无机金属间化合物，其特征在于，所述至少两相不能相互混合。

3.根据权利要求2所述的无机金属间化合物，其特征在于，所述至少两相是热力学稳定的。

4.根据权利要求3所述的无机金属间化合物，其特征在于，通过分离所述至少两相，形成无序的小于1μm的结构，优选小于100nm的结构，并且特别优选小于30nm的结构。

5.根据上述权利要求中任一项或多项所述的无机金属间化合物，其特征在于，所述无机金属间化合物具有一个主相，所述主相包含该无机金属间化合物的总含量的至少70％。

6.根据权利要求5所述的无机金属间化合物，其特征在于，所述主相是金属间化合物。

7.根据权利要求5或6所述的无机金属间化合物，其特征在于，所述主相具有带有优选无结构偏差、任选小的结构偏差的立方对称性，其中将结构偏差理解为晶格参数失真少于10％。

8.根据权利要求5到7所述的无机金属间化合物，其特征在于，所述主相属于半哈斯勒相。

9.根据权利要求5到8所述的无机金属间化合物，其特征在于，所述主相具有18个价电子。

10.根据权利要求5到9所述的无机金属间化合物，其特征在于，所述主相具有半导体特性。

11.根据权利要求5到9所述的无机金属间化合物，其特征在于，所述主相具有金属-半导体结或者金属-半金属结。

12.根据权利要求5到9所述的无机金属间化合物，其特征在于，所述主相具有半金属特性。

13.根据上述权利要求中任一项或多项所述的无机金属间化合物，其特征在于，所述无机金属间化合物具有一个副相，所述副相包含少于30％的该无机金属间化合物的总含量。

14.根据权利要求13所述的无机金属间化合物，其特征在于，所述副相包括具有无序结构的金属夹杂物。

15.根据权利要求14所述的无机金属间化合物，其特征在于，所述副相在制备过程中产生。

16.根据上述权利要求中任一项或多项所述的无机金属间化合物，其特征在于，所述无机金属间化合物是一种合金的主要成分。