[发明专利]使用电磁感应进行发电的包括涡通量发生器与冷冻室之间的热传递的方法和装置无效
申请号: | 201180028777.3 | 申请日: | 2011-04-08 |
公开(公告)号: | CN102985769A | 公开(公告)日: | 2013-03-20 |
发明(设计)人: | 理查德·亚当斯 | 申请(专利权)人: | 理查德·亚当斯 |
主分类号: | F25B21/00 | 分类号: | F25B21/00 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 周靖;郑霞 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 使用 电磁感应 进行 发电 包括 通量 发生器 冷冻室 之间 传递 方法 装置 | ||
1.一种涡通量致冷装置,包括:
涡通量发生器,其包括:
磁路,用于产生磁场;
涡流材料,其用于形成并且随后消散涡流,由此在形成所述涡流时,所述涡流周围的磁场密度被促使减小,并且由此在随后消散所述涡流时,停止所述促使减小,允许所述磁场密度增加到在形成所述涡流以前的先前磁场密度,所述磁场的增加和减小构成所述磁场的调制;
感应器,包括放置在所述涡流附近的导电材料段,使得通过电磁感应将所述磁场的所述调制的动能转换为所述感应器中的电流的能量,所述电流构成所生成的电力;以及
冷冻室,其可操作地耦合到所述涡通量发生器,所述冷冻室具有热传递环路,所述热传递环路包括导热介质和热交换器。
2.根据权利要求1所述的涡通量致冷装置,其中,多个涡流在所述涡流材料中形成和消散,并且多个感应器相对于所述涡流放置;以及互连装置用于将感应到所述多个感应器中的电流汇聚到更少数量的导体中。
3.根据权利要求2所述的涡通量致冷装置,其中,所述感应器包括至少一个预定的维度,使得从互连的感应器汇聚的、由电磁感应所感应出的电流具有大于零的量值。
4.根据权利要求1所述的涡通量致冷装置,其中,所述涡流材料包括以下项中的至少一项:重入涡流材料、非重入涡流材料和通过所述涡流材料附近的激励装置所控制的涡流材料。
5.根据权利要求4所述的涡通量致冷装置,其中,用于控制所述涡流材料的外部激励通过用于将能量传递到所述涡流材料中和从所述涡流材料中传递出能量的控制装置来促使涡流的形成和消散。
6.根据权利要求5所述的涡通量致冷装置,其中,所述用于将能量传递到所述涡流材料中和从所述涡流材料传递出能量的控制装置使用包括以下项中的至少一项的能量:热传导、电流、电磁能、核能和磁场调制能量。
7.根据权利要求2所述的涡通量致冷装置,其中,部署了用于促使涡流在相对于所述感应器的预定位置处形成的装置。
8.根据权利要求7所述的涡通量致冷装置,其中,所述用于促使涡流在相对于所述感应器的预定位置处形成的装置包括以下项中的至少一项:用于促使所述磁场密度中的梯度的装置和用于所述涡流材料的均匀性的改变的装置。
9.根据权利要求8所述的涡通量致冷装置,其中,所述用于促使所述磁场密度中的梯度的装置包括以下项中的至少一项:用于磁体装置中的静态梯度改变的装置和用于所述磁场中的动态梯度改变的装置。
10.根据权利要求9所述的涡通量致冷装置,其中,所述涡流材料的均匀性的改变包括以下项中的至少一项:所述维度的改变、分子组成的改变和晶格结构的改变。
11.根据权利要求3所述的涡通量致冷装置,其中,所述感应器包括以下项中的至少一项:导电物质的线圈和使用微电子制造技术制成的感应器。
12.根据权利要求11所述的涡通量致冷装置,其中,所述使用微电子制造技术制成的感应器包括多个材料层,其中,所述材料层包括导电层、电绝缘体材料和穿过所述绝缘体的互连导电体,所述导电层形成本身没有被封闭的圆弧段。
13.根据权利要求12所述的涡通量致冷装置,其中,所述感应器通过对齐装置与被促使的涡流位置对齐,并且用于将所述感应器放置在所述涡流附近的装置包括以下项中的至少一项:与所述涡流材料制造在相同的基底上的感应器、以及在脱离开所述涡流材料制造的基底上制造的并且然后通过与涡流材料夹在一起被装配的感应器。
14.根据权利要求1所述的涡通量致冷装置,其中,磁通量调制是通过以下项中的至少一项发生的:由涡流相对于所述感应器的移动促使的磁通量密度的一起移动、所述涡流中的磁通量的密度相对于所述涡流周围的通量的密度的增加、以及磁通量密度从一个涡流到另一个涡流的移位。
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