[发明专利]变容器电路以及电压控制振荡

说明书

技术领域

本发明的实施例涉及集成电路装置（“IC”）。更具体地说，本发明的实施例涉及用于IC的变容器电路以及电压控制振荡。

背景技术

可编程逻辑装置（“PLD”）是众所周知的集成电路类型，所述集成电路可经编程以进行指定的逻辑功能。PLD的一种类型为现场可编程门阵列（“FPGA”），其通常包含可编程重复单元阵列。这些可编程重复单元可包含，例如输入/输出块（“IOB”）、可配置逻辑块（“CLB”）、专用随机存取存储块（“BRAM”）、倍增器、数字信号处理块（“DSP”）、处理器、时钟管理器、延迟锁定环路（“DLL”）以及等等。如本文所使用，“包含”以及“包含着”意指包含但不加限制。

每个可编程重复单元通常包含可编程互连和可编程逻辑两者。所述可编程互连通常包含大量由可编程互连点（“PIP”）互相连接的不同长度的互连线。所述可编程逻辑使用可包含例如函数发生器、寄存器、算术逻辑等的可编程元件实施用户设计的逻辑。

通常，通过将配置数据流加载到定义可编程元件的配置方式的内部配置存储单元，对所述可编程互连与可编程逻辑进行编程。所述配置数据可由外部装置从存储器（例如，从外部PROM）中读取或写入FPGA中。然后，各单独存储单元的总体状态确定FPGA的功能。

PLD的另一类型为复杂可编程逻辑装置，也称CPLD。CPLD包含由互连开关矩阵连接在一起并连接到输入/输出（“I/O”）资源的两个或两个以上“功能块（function block）”。CPLD的每个功能块包含类似于可编程逻辑阵列（“PLA”）与可编程阵列逻辑（“PAL”）装置所用的两层与/或（AND/OR）结构。在CPLD中，配置数据通常以芯片上的方式存储在非易失性存储器中。在一些CPLD中，配置数据以芯片上的方式存储在非易失性存储器中，然后作为初始配置（编程）序列的一部分下载到易失性存储器上。

对于所有这些可编程逻辑装置（“PLD”），装置的功能性因出于此目的而提供给所述装置的数据位来控制。所述数据位可存储在易失性存储器（例如，静态存储单元，如在FPGA与一些CPLD中）、非易失性存储器（例如，快闪存储器，如在一些CPLD中）、或任何其他类型的存储单元中。

通过应用以可编程的方式互连所述装置上的多种元件的处理层，如金属层，对其他PLD进行编程。这些PLD被称为掩模可编程装置。PLD还可用其他方式进行实施，例如使用熔丝或反熔丝技术。术语“PLD”与“可编程逻辑装置”包含但不限于这些示例性装置，并且涵盖仅部分可编程的装置。例如，PLD的一种类型包含经硬编码的晶体管逻辑与以可编程的方式互连所述经硬编码的晶体管逻辑的可编程交换网络的组合。

电压控制振荡器（“VCO”）为许多高性能模拟电路及系统中的构建块。例如，VCO用于频率合成器、时钟乘法单元（“CMU”）、时钟和数据恢复（“CDR”）电路，及锁相环路（“PLL”），以及其他电路。已使用CMOS来实施VCO。对于模拟装置与RF装置利用高容量CMOS制造的好处会很有利。例如，如果VCO的此类整合是完整的，即完全在单芯片中（例如，如在SOC实施方案中）形成VCO，那么将很有利。针对VCO的一些设计考虑有调谐范围与抖动性能。在PLD中，这些设计考虑可更为严格，原因是单个PLD可用以支持时钟频率性能参数不同且抖动性能参数严格的多个协议与应用程序。

因而，提供高增益变容器电路将是合乎需要并有利的，所述高增益变容器电路电路能够在相对较大调谐范围中符合严格的抖动性能参数，以提供适用于单个PLD支持多个协议与应用程序的应用的VCO。

VCO“槽路”电路是众所周知的用于产生振荡的电路。VCO电路，如同槽路电路，被称为LC VCO，其中L与C分别指示电感器与电容器。LC VCO中槽路电容“C ”是固定电容与可调电容的组合。常规地，所述可调电容包含变容器。然而，常规变容器的电容范围相对受限。此外，众所周知，CMOS过程可能随时变动，且由此电容-电压（“C-V”）曲线可能移位。迄今为止，此类过程移位可减小变容器电容的可用范围。

因而，提供针对宽电容范围可编程的变容器电路将既有利又合乎需要。而且，增强变容器的C-V曲线增益以超过装置固有的C-V曲线特性将是有利且合乎需要的。如果此类变容器电路可经调节以抵消过程变化，那么将额外地有利且合乎需要。

发明内容

一个或一个以上实施例大体上涉及变容器电路以及用于IC的电压控制振荡的方法。