[发明专利]光学系统有效
| 申请号： | 201180029301.1 | 申请日： | 2011-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN102939567A | 公开（公告）日： | 2013-02-20 |
| 发明（设计）人： | D.H.埃姆;M.韦斯;C.扎克泽克;T.哈克尔;W.塞茨 | 申请（专利权）人： | 卡尔蔡司SMT有限责任公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 吴艳 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光学系统 | ||
1.一种用于EUV光刻的光学系统，其包含：反射光学元件，该反射光学元件包括基底，该基底具有高反射涂层，在用EUV辐射照射该基底时，该基底发出二次电子；以及带电粒子的源（3），其布置为使得能够将带电粒子施加于所述反射光学元件（2），其中所述源（3）为浸没电子枪，其将电子施加至所述反射光学元件（2），作为用于载流子补偿的唯一手段。
2.根据权利要求1所述的光学系统，其中，所述浸没电子枪（3）布置为使得所述电子仅被施加至所述反射光学元件（2）的所述高反射涂层（22）的边界（24）。
3.根据权利要求1或2所述的光学系统，其中，所述浸没电子枪（3）布置为使得将所述电子仅仅且完全地施加至所述反射光学元件（2）的所述高反射涂层（22）的边界（24）。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的光学系统，其中，所述浸没电子枪（3）布置为以相对于所述反射光学元件（2）的表面法线大于45°的角度将电子施加至所述反射光学元件（2）的表面。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的光学系统，其中，所述浸没电子枪（3）为具有加热元件（31,31'）的热电子浸没电子枪，所述加热元件为平面元件（31'）。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的光学系统，其中，所述高反射涂层（22）基于多层系统。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的光学系统，其中，所述光学系统包括至少一个另外的反射光学元件（122）和/或至少一个另外的反射光学元件（3a）。
8.一种用于EUV光刻的照明系统，其包含根据权利要求1至7中任一项所述的光学系统（1）。
9.一种用于EUV光刻的投射系统，其包含根据权利要求1至7中任一项所述的光学系统（1）。
10.一种用于EUV光刻的EUV光刻设备，其包含根据权利要求1至7中任一项所述的光学系统（1）。
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