[发明专利]具有电阻开关层的存储单元的组合

权利要求书

1.一种电阻开关存储单元，包括：

电阻开关存储元件，所述电阻开关存储元件包括：

第一电极(E1)和第二电极(E2)；

串联在所述第一电极与所述第二电极之间的导电或半导电中间层(IL)；

串联在所述第一电极与所述导电或半导电中间层之间的第一电阻开关层(RSL1)；以及

串联在所述第二电极与所述导电或半导电中间层之间的第二电阻开关层(RSL2)。

2.根据权利要求1所述的电阻开关存储单元，还包括：

与所述电阻开关存储元件串联的导引元件(SE)，所述导引元件包括二极管。

3.根据权利要求1或2所述的电阻开关存储单元，其中：

所述导电或半导电中间层是不可氧化的。

4.根据权利要求3所述的电阻开关存储单元，其中：

所述导电或半导电中间层包括碳。

5.根据权利要求1、2和4中任一项所述的电阻开关存储单元，其中：

所述导电或半导电中间层是可氧化的。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的电阻开关存储单元，其中：

所述导电或半导电中间层选自TiN、Al、Zr、La、Y、Ti、TiAlN、Ti_xN_y和TiAl合金。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的电阻开关存储单元，其中：

所述导电或半导电中间层选自n+Si、SiGe和ZrO_x。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的电阻开关存储单元，其中：

所述导电或半导电中间层包括p+SiC。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的电阻开关存储单元，其中：

所述导电或半导电中间层包括纳米颗粒。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的电阻开关存储单元，其中：

所述第一电阻开关层和所述第二电阻开关层中至少之一选自HfO_x和HfSiON。

11.根据权利要求1至10中任一项所述的电阻开关存储单元，其中：

所述第一电阻开关层和所述第二电阻开关层中至少之一包括具有0.01-5％的掺杂剂浓度的重掺杂金属氧化物层。

12.根据权利要求11所述的电阻开关存储单元，其中：

所述金属氧化物层选自HfO_x和HfSiON；并且所述掺杂剂为Ti、Al或Zr。

13.根据权利要求1至12中任一项所述的电阻开关存储单元，其中：

所述第一电极和所述第二电极中至少之一选自W、WSi_x、WN、TiN、TiSi_x、SiGe TiAlN、NiSi、Ni、Co、CoSi、n+Si和p+Si。

14.根据权利要求1至13中任一项所述的电阻开关存储单元，其中：

所述第一电极和所述第二电极中至少之一选自n+n+SiC和p+SiC。

15.根据权利要求1至14中任一项所述的电阻开关存储单元，其中：

所述第一电极包括n+Si；

所述导电或半导电中间层包括TiN；以及

所述第二电极包括n+Si。

16.根据权利要求1至14中任一项所述的电阻开关存储单元，其中：

所述第一电极包括TiN；

所述导电或半导电中间层包括n+Si；以及

所述第二电极包括TiN。

17.根据权利要求1至16中任一项所述的电阻开关存储单元，其中：

所述第二电极包括在TiN层上的Ti层；

所述第二电阻开关层包括MeO_x；以及

在所述Ti层上形成有TiO_x层，并且所述TiO_x层与所述第二电阻开关层接触。

18.根据权利要求1至16中任一项所述的电阻开关存储单元，其中：

所述第二电极包括n+Si；以及

在所述第二电极上生长有SiO_x层。