[发明专利]弹性波元件

说明书

技术领域

本发明涉及弹性波元件。

背景技术

图39是现有技术中的弹性波元件的剖面示意图。在现有技术中，作为使用了弹性波元件1的滤波器的温度特性的改善手段，提出了在压电体2上以覆盖IDT电极7的方式形成氧化硅膜4的单元。

此外，通过在IDT电极7中使用钼(Mo)，从而能够利用干蚀刻形成电极图案，并且可提高弹性波元件1的耐电力性。

此外，由于Mo的比重比铝(Al)大，因此可以形成膜厚3比Al电极薄的IDT电极。由此，能够降低氧化硅膜4的成膜偏差。

另外，作为有关该申请的在先技术文献，公知有专利文献1。

但是，在这种现有的弹性波元件中，Mo带来导电性变差且弹性波元件1中的插入损耗变大的问题。

【在先技术文献】

【专利文献】

【专利文献1】日本特开2009-290914号公报

发明内容

本发明的目的在于在作为IDT电极使用了可通过干蚀刻图案形成的Mo(钼)或W(钨)或Pt(铂)时，抑制弹性波元件的插入损耗。

本发明的弹性波元件具备：压电体；IDT电极，其被设置在压电体上，且激励波长为λ的主要弹性波；氧化硅(SiO₂)膜，其在压电体上被设置成覆盖IDT电极，且具有0.20λ以上、小于1λ的膜厚；和电介质薄膜，其被设置在氧化硅膜上，且由传播比在氧化硅膜中传播的横波的速度快的横波的介质构成，具有1λ以上且5λ以下的膜厚；IDT电极从压电体侧开始依次例如具有以Mo为主成分的第1电极层、和设置在第1电极层上且以Al为主成分的第2电极层，IDT电极具有0.15λ以下的总膜厚，并且第1电极层具有0.05λ以上的膜厚，第2电极层具有0.025λ以上的膜厚。

根据上述构成，在弹性波元件中，通过将IDT电极的总膜厚设为0.15λ以下，从而降低氧化硅膜的成膜偏差。此外，例如，在将以Mo为主成分的第1电极层的膜厚设为0.05λ以上时，可提高弹性波元件的耐电力性。并且，通过将以Al为主成分的第2电极层的膜厚设为0.025λ以上，从而可抑制IDT电极的电阻。由此，能够抑制弹性波元件中的插入损耗。

附图说明

图1是本发明的实施方式1中的弹性波元件的剖面示意图。

图2是该弹性波元件的特性说明图。

图3是该弹性波元件的特性说明图。

图4是该弹性波元件的其他剖面示意图。

图5是该弹性波元件的特性说明图。

图6是该弹性波元件的其他剖面示意图。

图7是表示该弹性波元件的压电体和IDT电极的一方式的图。

图8是本发明的实施方式2中的弹性波元件的剖面示意图。

图9是该弹性波元件的特性说明图。

图10是该弹性波元件的其他剖面示意图。

图11是该弹性波元件的特性说明图。

图12是该弹性波元件的其他剖面示意图。

图13A是表示该弹性波元件的制造方法的图。

图13B是表示该弹性波元件的制造方法的图。

图13C是表示该弹性波元件的制造方法的图。

图13D是表示该弹性波元件的制造方法的图。

图13E是表示该弹性波元件的制造方法的图。

图13F是表示该弹性波元件的制造方法的图。

图13G是表示该弹性波元件的制造方法的图。

图13H是表示该弹性波元件的制造方法的图。

图14A是表示在该弹性波元件中抑制无用乱真信号的条件的图。

图14B是表示在该弹性波元件中抑制无用乱真信号的条件的图。

图14C是表示在该弹性波元件中抑制无用乱真信号的条件的图。

图14D是表示在该弹性波元件中抑制无用乱真信号的条件的图。

图14E是表示在该弹性波元件中抑制无用乱真信号的条件的图。

图14F是表示在该弹性波元件中抑制无用乱真信号的条件的图。

图14G是表示在该弹性波元件中抑制无用乱真信号的条件的图。

图15是本发明的实施方式3中的弹性波元件的剖面示意图。

图16是该弹性波元件的特性说明图。

图17是该弹性波元件的特性说明图。

图18是该弹性波元件的其他剖面示意图。

图19是该弹性波元件的特性说明图。

图20是该弹性波元件的其他剖面示意图。