[发明专利]制造光伏太阳能电池的方法

权利要求书

1.一种制造光伏太阳能电池的方法，包括下列方法步骤：

A对硅半导体基体(1)的前侧(2)进行纹理化，所述硅半导体基体掺杂有基极掺杂型，

B在所述半导体基体(1)所述前侧(2)上生成至少一个选择性掺杂结构，其方式是，在所述前侧(2)上生成至少一个面式的低掺杂区域(4)，所述低掺杂区域在所述半导体基体(1)中具有第一掺杂分布，并在所述第一低掺杂区域内部生成至少一个局部的高掺杂区域(3)，所述高掺杂区域具有第二掺杂分布，其中所述低掺杂区域(4)和所述高掺杂区域(3)分别构成为具有一个发射极掺杂型，所述发射极掺杂型与所述基极掺杂型相反，并且所述高掺杂区域(3)与所述低掺杂区域相比被构成为具有较低的横向传导电阻，以及

C至少部分地在局部高掺杂的区域上，将至少一个金属发射极接触结构施加在半导体基体的前侧(2)上，必要时施加在其他的中间层上，其中发射极接触结构导电地与所述高掺杂区域(3)相连接，以及将至少一个金属基极接触结构施加在所述半导体基体的后侧上，必要时施加在其他的中间层上，其中所述基极接触结构导电地与基极掺杂型的半导体基体的一个区域相连接，

其特征在于，

在方法步骤B和方法步骤C之间，必要时在中间设置其他中间步骤的情况下，在方法步骤B1中，在所述半导体基体的前侧和后侧上，借助于热氧化同时分别生成一个氧化硅层(5a，5b)，其中至少前侧氧化硅层以小于150nm的厚度生成。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在方法步骤B1中，所述氧化硅层(5b)以这样的厚度施加到后侧上，所述厚度与前侧(2)上的氧化硅层的厚度相差小于10nm。

3.根据上述权利要求中任一项所述的方法，在方法步骤B1中，这样生成前侧氧化层(5a)，即所述前侧(2)上的低掺杂区域的表面掺杂浓度小于4x10²⁰cm^-3，优选小于2x10²⁰cm^-3，特别是小于1x10²⁰cm^-3，更优选地小于5x10¹⁹cm^-3。

4.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，在方法步骤B1中，在所述半导体基体的所述前侧(2)上将一个厚度在2nm和100nm之间的层转化为氧化硅。

5.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，在方法步骤B1中，在前侧和后侧上，在预定的第一时间段内，以第一生长速率生成氧化硅层，并且在预定的第二时间段内，以相对于第一生长速率较大的第二生长速率生成氧化硅层。

6.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，在方法步骤B1中，在预定的第一时间段内，在具有小于10％氧气含量的气体气氛中实现热氧化，并接着提高氧气含量。

7.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，在前侧和后侧上方的氧化硅层在方法步骤B1之后的方法步骤中不再被去除。

8.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，在方法步骤B1之前，优选在方法步骤A和方法步骤B1之间，特别优选在方法步骤B和方法步骤B1之间，必要时在中间设置其他中间步骤的情况下，平整半导体基体的后侧表面上的不平度或者至少减小不平度。

9.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，在方法步骤B和方法步骤B1之间，去除至少在基体的前侧上的近表面层，优选去除厚度在1nm至300nm的范围中的层。