[发明专利]用于EUV光刻的掩模、EUV光刻系统和用于优化掩模的成像的方法

权利要求书

1.一种用于EUV光刻的掩模(105)，其包含：

基板(107)；

多层涂层(108)，其施加于所述基板(107)；以及

掩模结构(109)，其施加于所述多层涂层(108)并具有吸收体材料，所述掩模结构(109)具有小于100nm的最大厚度，优选地不超过30nm的最大厚度，尤其优选地是20nm，尤其是10nm。

2.根据权利要求1所述的掩模，其中，所述多层涂层(108)具有包含位置依赖性变化的光学设计，该位置依赖性变化依赖于所述掩模结构(109)，用于改善EUV光刻系统(101)中的所述掩模(105)的成像。

3.根据权利要求2所述的掩模，其中，所述多层涂层(108)的所述光学设计的所述位置依赖性变化包含所述多层涂层(108)的厚度(D(X，Y))的位置依赖性改变。

4.根据权利要求2或3所述的掩模，其中，所述多层涂层(108)的所述光学设计包含依赖于所述掩模结构(109)的节距(p)的位置依赖性变化。

5.根据权利要求2至4中任一项所述的掩模，其中，将所述掩模结构(109)的光学设计适配于所述多层涂层(108)的包含位置依赖性变化的光学设计，以改善所述EUV光刻系统(101)中的所述掩模(105)的成像。

6.根据前述权利要求中任一项所述的掩模，其中，所述掩模结构(109)的厚度(d)以位置依赖的方式依赖于所述掩模结构(109)的节距(p)及/或所述多层涂层(108)的包含位置依赖性变化的光学设计而变化。

7.根据前述权利要求中任一项所述的掩模，其中，所述掩模结构(109)具有至少一个吸收体结构(109b至109e)，该吸收体结构具有结构宽度(b(Z))，该结构宽度在厚度方向(Z)上变化。

8.根据权利要求7所述的掩模，其中，所述吸收体结构(109b至109e)的至少一个侧面(112，113)具有非90°的侧面角(α₁，α₂)。

9.根据权利要求8所述的掩模，其中，所述侧面角(α₁，α₂)在70°和88°之间或在92°和110°之间。

10.根据前述权利要求中任一项所述的掩模，其中，对于EUV范围内的波长，尤其是13.5nm的波长，所述掩模结构(109)的所述吸收体材料具有大于0.05，优选地大于0.06，尤其优选地大于0.07，更尤其大于0.08的吸收系数。

11.根据前述权利要求中任一项所述的掩模，其中，所述吸收体材料选自包含以下的组：Pt、Zn、Au、NiO、Ag₂O、Ir、以及Fe。

12.根据前述权利要求中任一项所述的掩模，其中，所述吸收体材料选自包含以下的组：SnO₂、Co、Ni₈Cr₂、SnO、以及Cu。

13.根据前述权利要求中任一项所述的掩模，其中，所述吸收体材料选自包含以下的组：Ag、Ac、Te、CsI、以及Sn。

14.根据前述权利要求中任一项所述的掩模，其中，所述吸收体材料选自包含以下的组：Ni、Ag、以及ZnTe。

15.根据前述权利要求中任一项所述的掩模，其中，所述多层涂层(108)具有覆盖层(111)，该覆盖层(111)适配于所述掩模结构(109)的所述吸收体材料。

16.一种EUV光刻系统(101)，其包含：

根据前述权利要求中任一项所述的掩模(105)；

照明系统(103)，用于利用照明光照明所述掩模(105)；以及

物镜(104)，用于将所述掩模(105)成像至基板(106)。