[发明专利]用于制造光电子半导体芯片的方法和光电子半导体芯片

权利要求书

1.用于制造光电子半导体芯片的方法，具有步骤：

－ 提供n导通层（2），

－ 将p导通层（4）布置在n导通层（2）上，

－ 将金属层序列（5）布置在p导通层（4）上，

－ 将掩模（6）布置在金属层序列（5）的背向p导通层（4）的侧上，

－ 在使用掩模（6）的情况下局部地侵蚀金属层序列（5）并且暴露p导通层（4），以及

－ 在使用掩模（6）的情况下局部地中和或去除p导通层（4）的所暴露的区域（4a）直至n导通层（2），

其中

－ 金属层序列（5）包括至少一个镜层（51）和阻挡层（52），以及

－ 金属层序列（5）的镜层（52）朝向p导通层（4）。

2.光电子半导体芯片，具有

－金属层序列（5），其包括至少一个镜层（51）和阻挡层（52），和

－p导通层（4），其中

－金属层序列（5）的镜层（51）朝向p导通层（4），

－p导通层（4）在侧面超过镜层（51），以及

－p导通层（4）在侧面超出镜层（51）的超出部（d3）最高为5μm。

3.根据前面的权利要求的光电子半导体芯片或者方法，其中

－构造穿过n导通层（2）和p导通层（4）延伸的开口（10），

－金属层序列（5）的层在开口（10）的底面（10a）处暴露，以及

－在底面（10a）处构造用于电接触半导体芯片的连接面（54）。

4.根据前面的权利要求的光电子半导体芯片或者方法，其中

－开口（10）至少部分地穿过金属层序列（5）的镜层（51）延伸，以及

－开口（10）的侧面（10b）至少在镜层（51）的区域中完全由钝化层（11）覆盖。

5.根据前面的权利要求之一的光电子半导体芯片或者方法，其中

－p导通层（4）在侧面超出开口（10）中的镜层（51）。

6.根据前面的权利要求的光电子半导体芯片或者方法，其中

－开口（10）的侧面（10b）在镜层（51）的区域中和开口（10）的侧面（10b）在p导通层（4）的区域与半导体芯片的载体（9）的朝向镜层（15）的表面包围不同的角度。

7.根据前面的权利要求之一的光电子半导体芯片或者方法，其中

－借助于ALD过程来产生钝化层（11）。

8.根据前面的权利要求之一的光电子半导体芯片或者方法，其中

－构造至少两个开口（101，102），

－在其中一个开口（102）中构造用于在n侧接触半导体芯片的连接面，以及

－在其中另一个开口（101）中构造用于在p侧接触半导体芯片的连接面。

9.根据前面的权利要求之一的光电子半导体芯片或者方法，其中

－金属层序列（5）的侧面（5a）除了开口（10，101，102）以外至少间接地与金属层（8）接界，该金属层（8）与n导通的半导体材料（2）导电连接。

10.根据前面的权利要求之一的光电子半导体芯片或者方法，其中

－至少一个开口（10，101，102）在侧面完全地由活性区（3）包围。

11.根据前面的权利要求之一的光电子半导体芯片或者方法，其中

－半导体芯片的包括金属层序列（5）、p导通层（4）和n导通层（2）的部分的ESD子区域（13）与剩余的半导体芯片电反并联，以及

－ESD子区域（13）构成用于剩余的半导体芯片的ESD保护二极管。

12.根据前面的权利要求的光电子半导体芯片或者方法，其中

－ESD子区域（13）在侧面完全由活性区（3）围绕。

13.根据前面的权利要求之一的光电子半导体芯片或者方法，其中

－半导体芯片被细分成至少两个活性子区域（31），所述活性子区域电串联。

14.根据前面的权利要求的光电子半导体芯片或者方法，其中

－电连接（32）布置在半导体芯片的辐射出射面（22）下方的活性子区域（31）之间。

15.根据前面的权利要求之一的光电子半导体芯片或者方法，其中

－在半导体芯片运行中在每个活性子区域（31）处下降至少2V电压。