[发明专利]钟罩清洁化方法、多晶硅的制造方法以及钟罩用干燥装置

权利要求书

1.一种钟罩清洁化方法，是在利用西门子法的多晶硅制造中使用的钟罩的清洁化方法，其中，所述钟罩的使用水的清洗工序后，具备干燥工序，即以使该钟罩内部达到低于内表面温度下的水的蒸气压的压力的方式进行减压来除去水分。

2.如权利要求1所述的钟罩清洁化方法，其中，所述干燥工序如下：使用具有200Pa以下的真空达到能力的真空泵，进行所述钟罩内部的气压达到1000Pa以下的减压操作。

3.如权利要求1或2所述的钟罩清洁化方法，其中，继所述干燥工序之后具备向所述钟罩的内部导入降低了水分的高纯度惰性气体来使内压回到大气压的工序。

4.一种多晶硅的制造方法，多次反复进行利用西门子法的多晶硅的析出工序，所述制造方法的特征在于，

在所述析出工序结束后且在下一批的析出工序之前，具有对用于所述多晶硅的析出的钟罩进行清洁化的工序，

该钟罩的清洁化工序，具备使用水对所述钟罩进行清洗的水清洗工序和继该水清洗工序之后的干燥工序，

所述干燥工序如下：在所述水清洗工序后，使用具有200Pa以下的真空达到能力的真空泵，进行使所述钟罩内部的气压达到1000Pa以下的减压操作，由此，以使所述钟罩内部达到低于内表面温度下的水的蒸气压的压力的方式进行减压来除去水分，并且将从所述水清洗工序结束后至干燥工序结束的时间设定为1.2小时以下。

5.如权利要求4所述的多晶硅的制造方法，其中，所述钟罩的清洁化工序，继所述干燥工序之后，还具备向所述钟罩的内部导入降低了水分的高纯度惰性气体来使内压回到大气压的工序。

6.如权利要求4或5所述的多晶硅的制造方法，其中，将从所述水清洗工序结束后至干燥工序结束的时间设定为0.8小时以下。

7.如权利要求6所述的多晶硅的制造方法，其中，将从所述水清洗工序结束后至干燥工序结束的时间设定为0.4小时以下。

8.如权利要求4或5所述的多晶硅的制造方法，其中，使所述干燥工序在所述钟罩内部的气压达到1000Pa以下后经过5分钟的时间点结束。

9.一种钟罩用干燥装置，用于使利用西门子法的多晶硅制造中使用的钟罩干燥，所述装置的特征在于，该装置能够通过载置所述钟罩来形成气密空间，同时具有：用于对所述气密空间内的气压进行减压的真空管路、和用于使所述气密空间内的气压回到常压的干燥气体管路。