[发明专利]β型赛隆及其制备方法和发光装置

说明书

技术领域

本发明涉及可用作荧光体的β型赛隆及其制备方法，以及将该β型赛隆搭载在蓝色发光或紫外发光二极管芯片上而得到的发光装置。

背景技术

已知如专利文献1所记载的那样，为了提高β型赛隆的发光特性，对电子自旋共振法中与25℃、g=2.00±0.02的吸收对应的自旋密度加以确定。

电子自旋共振（Electron Spin Resonance，也称为ESR）是指，不成对电子的能级在磁场中因塞曼效应而分裂，并且该不成对电子吸收与能级裂距相同能量的电磁波的现象。根据由ESR法得到的吸收光谱的吸收强度以及吸收波长，能够得到与β型赛隆中所含的不成对电子数、即自旋密度或其状态等相关的信息。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开第2008/062781号说明书

非专利文献

非专利文献1：大久保和明等著，“NBS標準蛍光体の量子効率の測定”（NBS标准荧光体的量子效率的测定），照明学会杂志，平成11年，第83卷，第2号，p87-p93

发明内容

本发明的第一目的在于，提供一种即使在进行了荧光体的短波长化和窄带化时，也能够以良好的再现性实现高发光强度的β型赛隆；第二目的在于，提供一种β型赛隆的制备方法；第三目的在于，提供一种使用了β型赛隆的发光装置。

本发明人等通过详细解析合成固溶有Eu的β型赛隆时的各因子与合成后的固溶有Eu的β型赛隆的发光特性的关系，发现在电子自旋共振法中与25℃、g=2.00±0.02的吸收对应的自旋密度为6.0×10¹⁶个/g以下时，能够制备结晶性良好、且发光强度高的荧光体，从而想到了本发明。

为了实现上述第一目的，本发明的β型赛隆用通式：Si_6-zAl_zO_zN_8-z表示，并固溶有Eu，并且在电子自旋共振法中与25℃、g=2.00±0.02的吸收对应的自旋密度为6.0×10¹⁶个/g以下。

为了实现上述第二目的，本发明的β型赛隆的制备方法具有以下工序：对β型赛隆的原料进行混合的混合工序；以2℃/min以下的速度将混合原料的环境温度从1500℃升温至烧成温度的升温工序；对升温工序后的混合原料进行烧成的烧成工序；对烧成工序后的β型赛隆进行退火处理的退火工序；对退火工序后的β型赛隆进行酸处理的酸处理工序。

本发明的上述β型赛隆的其他制备方法的特征在于，具有上述混合工序、升温工序、烧成工序、退火工序以及酸处理工序，并且在烧成工序和退火工序之间，还具有对β型赛隆进行热等静压处理的热等静压处理工序。

优选为，上述退火工序是将烧成后的β型赛隆在氮气分压为10kPa以下的惰性气体中于1350℃以上至1650℃以下的气氛中进行加热处理、或者是在真空中于1200℃以上至1500℃以下的气氛中进行加热处理。

优选为，上述酸处理工序是将烧成后的β型赛隆含浸在氢氟酸和硝酸的混酸中、或者含浸在氟化氢铵中进行处理。

为了实现上述第三目的，本发明的发光装置包括上述β型赛隆和发光光源。

本发明的β型赛隆能够被紫外线至可见光的广泛的波长区域激发，与以往的β型赛隆相比较，即使在进行了荧光体的短波长化或窄带化的情况下，也能够以良好的再现性实现高发光强度，并且作为绿色荧光体优异。因此，通过单独使用或者与其他荧光体组合，能够适合用于各种发光元件，特别是以紫外或蓝色LED芯片作为光源的白色LED。

根据本发明的β型赛隆的制备方法，能够以良好的再现性制备在电子自旋共振法中与25℃、g=2.00±0.02的吸收对应的自旋密度为6.0×10¹⁶个/g以下的β型赛隆。

本发明的发光装置由于使用具有高发光效率的β型赛隆，所以能够实现发光装置的高亮度化。并且，还能够应用于液晶显示面板的背光光源。

附图说明

图1是说明β型赛隆的第一制备方法的流程图。

图2是说明β型赛隆的第二制备方法的流程图。

图3是表示本发明的发光装置结构的截面示意图。

具体实施方式

以下利用附图详细说明本发明的实施方式。

（β型赛隆）