[发明专利]电源控制电路及电源控制装置

权利要求书

1.一种电源控制电路，与直流电源及从该电源供电的一个或多个负载连接，控制对上述负载的供电，上述电源控制电路的特征在于，包括：

P沟道FET及N沟道FET，该P沟道FET及N沟道FET并联连接并且与上述电源的一端及上述负载连接；和

控制电路，分别控制该P沟道FET及N沟道FET的导通截止。

2.根据权利要求1所述的电源控制电路，其特征在于，

上述P沟道FET的源极及上述N沟道FET的漏极与上述电源的一端连接，

上述P沟道FET的漏极及上述N沟道FET的源极与上述负载连接。

3.根据权利要求1或2所述的电源控制电路，其特征在于，

在上述P沟道FET及N沟道FET中的至少一方上连接有防止过热、过电压及过电流的保护电路。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的电源控制电路，其特征在于，

还包括电位差检测电路，该电位差检测电路检测上述P沟道FET或上述N沟道FET的漏极与源极之间的电位差，

该电位差检测电路包括判断所检测的电位差是否为预定的电压值以上的电压比较判断部，

在该电压比较判断部判断为上述预定的电压值以上的情况下，向上述控制电路输出信号，以使上述N沟道FET导通。

5.根据权利要求4所述的电源控制电路，其特征在于，

包括锁存电路，该锁存电路输入从上述电位差检测电路输出的信号，

经由该锁存电路向与上述N沟道FET对应的控制电路输出上述信号。

6.根据权利要求4所述的电源控制电路，其特征在于，

上述电压比较判断部在所检测的电位差比低于上述预定的电压值的基准值还低的情况下，判断为小于上述预定的电压值。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的电源控制电路，其特征在于，

还包括温度检测电路，该温度检测电路检测上述P沟道FET的温度及周边温度，

该温度检测电路包括判断所检测的温度是否为预定的温度以上的温度比较判断部，

在该温度比较判断部判断为预定的温度以上的情况下，向上述控制电路输出信号，以使上述N沟道FET导通。

8.根据权利要求7所述的电源控制电路，其特征在于，

包括锁存电路，该锁存电路输入从上述温度检测电路输出的信号，

经由该锁存电路向与上述N沟道FET对应的控制电路输出上述信号。

9.根据权利要求7所述的电源控制电路，其特征在于，

上述温度比较判断部在所检测的温度比低于上述预定的温度的基准值还低的情况下，判断为低于上述预定的温度。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的电源控制电路，其特征在于，

还包括负电源产生电路，该负电源产生电路产生负电源，

在来自上述电源的正电压低于预定值的情况下，将上述负电源产生电路至少与上述N沟道FET连接。

11.一种电源控制装置，包括：

控制部，控制一个或多个负载的动作；和

电源控制电路，与直流电源连接，根据来自上述控制部的控制信号，控制对上述负载的供电，

上述电源控制装置的特征在于，

上述电源控制电路包括：

P沟道FET及N沟道FET，该P沟道FET及N沟道FET并联连接并且与上述电源的正电压侧及上述负载连接；和，

控制电路，分别控制该P沟道FET及N沟道FET的导通截止，

上述控制部根据上述一个或多个负载的动作状态，向各上述控制电路分别输出指示导通截止的控制信号。

12.根据权利要求11所述的电源控制装置，其特征在于，

上述一个或多个负载分别在包括睡眠状态或动作状态的消耗电力不同的多个状态中的某状态下动作，

在上述负载成为动作状态的情况下，上述控制部输出控制信号，以使N沟道FET及P沟道FET均导通，

在上述负载成为睡眠状态的情况下，上述控制部输出控制信号，以使N沟道FET截止。