[发明专利]倒装芯片型半导体背面用膜、半导体背面用切割带集成膜、半导体器件的生产方法和倒装芯片型半导体器件

权利要求书

1.一种倒装芯片型半导体背面用膜，其要形成于倒装芯片连接至被粘物的半导体元件的背面上，

其中相对于热固化前的所述倒装芯片型半导体背面用膜的总体积，所述倒装芯片型半导体背面用膜由于热固化而引起的收缩量为2体积%以上至不大于30体积%。

2.根据权利要求1所述的倒装芯片型半导体背面用膜，其至少包含热固性树脂。

3.根据权利要求2所述的倒装芯片型半导体背面用膜，其中相对于所述倒装芯片型半导体背面用膜中的全部树脂组分，所述热固性树脂的含量为40重量%以上至不大于90重量%。

4.根据权利要求2所述的倒装芯片型半导体背面用膜，其进一步包含热固化促进催化剂，其中相对于所述热固性树脂总量，所述热固化促进催化剂的比例为1.5重量%以上至不大于20重量%。

5.根据权利要求3所述的倒装芯片型半导体背面用膜，其进一步包含热固化促进催化剂，其中相对于所述热固性树脂总量，所述热固化促进催化剂的比例为1.5重量%以上至不大于20重量%。

6.根据权利要求1-5任一项所述的倒装芯片型半导体背面用膜，其中所述倒装芯片型半导体背面用膜的厚度落入2μm-200μm的范围内。

7.根据权利要求1-6任一项所述的倒装芯片型半导体背面用膜，其中所述半导体元件的厚度落入20μm-300μm的范围内。

8.一种半导体背面用切割带集成膜，其包括

切割带，所述切割带包括基材和层压于所述基材上的压敏粘合剂层；和

层压于所述切割带上的根据权利要求1-11任一项所述的倒装芯片型半导体背面用膜，

其中将所述倒装芯片型半导体背面用膜层压于所述压敏粘合剂层上。

9.一种使用根据权利要求8所述的半导体背面用切割带集成膜的半导体器件的制造方法，所述方法包括：

将半导体晶片粘贴至所述半导体背面用切割带集成膜中的所述倒装芯片型半导体背面用膜的步骤；

将所述半导体晶片切割以形成半导体元件的步骤；

将所述半导体元件与所述倒装芯片型半导体背面用膜一起从所述切割带的压敏粘合剂层剥离的步骤；和

将所述半导体元件倒装芯片连接至被粘物的步骤。

10.根据权利要求9所述的半导体器件的制造方法，其中所述倒装芯片连接步骤包括将包封树脂包封在倒装芯片接合至所述被粘物上的半导体元件和所述被粘物之间的间隙，接着热固化所述包封树脂的步骤。

11.一种倒装芯片型半导体器件，其通过根据权利要求9或10所述的半导体器件的制造方法来制造。