[发明专利]制造GaN基膜的方法有效

申请号：	201180030507.6	申请日：	2011-11-10
公开（公告）号：	CN102959677A	公开（公告）日：	2013-03-06
发明（设计）人：	佐藤一成;关裕纪;上松康二;山本喜之;松原秀树;藤原伸介;吉村雅司	申请（专利权）人：	住友电气工业株式会社
主分类号：	H01L21/02	分类号：	H01L21/02;H01L21/20;H01L21/205
代理公司：	中原信达知识产权代理有限责任公司 11219	代理人：	陈海涛;穆德骏
地址：	日本大阪***	国省代码：	日本;JP
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摘要：
搜索关键词：	制造 gan 方法
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【权利要求书】：

1.一种制造GaN基膜的方法，所述方法包括：

准备复合衬底(10)的步骤，所述复合衬底包含支持衬底(11)和布置在所述支持衬底(11)的主表面(11m)侧的单晶膜(13)，在所述支持衬底(11)中在主表面(11m)中的热膨胀系数大于GaN晶体在a轴方向上的热膨胀系数的0.8倍且小于其1.2倍，所述单晶膜(13)相对于垂直于所述单晶膜(13)的主表面(13m)的轴呈三重对称；和

在所述复合衬底(10)中的所述单晶膜(13)的所述主表面(13m)上形成GaN基膜(20)的步骤。

2.如权利要求1所述的制造GaN基膜的方法，其中所述复合衬底(10)中的所述单晶膜(13)的所述主表面(13m)具有等于或大于45cm²的面积。

3.如权利要求1所述的制造GaN基膜的方法，其中所述复合衬底(10)中的所述支持衬底(11)由含有氧化物的烧结体制成。

4.如权利要求1所述的制造GaN基膜的方法，其中所述复合衬底(10)中的所述支持衬底(11)含有氧化钇稳定的氧化锆和由氧化铝和二氧化硅形成的Al₂O₃-SiO₂复合氧化物。

5.如权利要求4所述的制造GaN基膜的方法，其中所述氧化钇稳定的氧化锆相对于所述Al₂O₃-SiO₂复合氧化物和所述氧化钇稳定的氧化锆的总量的含量为不低于20质量%且不高于40质量%。

6.如权利要求5所述的制造GaN基膜的方法，其中氧化钇相对于所述氧化钇稳定的氧化锆的含量为不低于5摩尔%。

7.如权利要求1所述的制造GaN基膜的方法，其中所述形成GaN基膜(20)的步骤包括：

在所述单晶膜(13)的所述主表面(13m)上形成GaN基缓冲层(21)的分步，以及

在所述GaN基缓冲层(21)的主表面(21m)上形成GaN基单晶层(23)的分步。

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