[发明专利]电触点材料有效
申请号: | 201180030832.2 | 申请日: | 2011-06-09 |
公开(公告)号: | CN102947475A | 公开(公告)日: | 2013-02-27 |
发明(设计)人: | 畠山隆志;上西昇;胡间纪人;铃木恭彦 | 申请(专利权)人: | 联合材料公司 |
主分类号: | C22C32/00 | 分类号: | C22C32/00;C22C5/06;C22C29/08;H01H1/021;H01H1/023;C22C1/05 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 丁业平;常海涛 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 触点 材料 | ||
技术领域
本发明总体上涉及电触点材料,特别涉及由银-碳化钨-石墨(Ag-WC-Gr)系材料形成的用于遮断器(断路器)等的电触点材料。
背景技术
传统上,由含有一定量以上碳化钨(其为耐热性非氧化物)的银-碳化钨系材料形成的电触点材料常用于额定电流值为200A以上的断路器。为了通过防止在遮断时的高热条件下碳化钨被氧化而抑制温度的上升(温度性能),并为了提高耐熔敷性,向该电触点材料中添加石墨。
例如,在日本特开昭58-11753号公报(以下称作专利文献1)中公开了这样的电触点材料,该电触点材料含有:5~70重量%的碳化钨等日本元素周期表IVa、Va、VIa族金属的碳化物,1~11重量%的石墨,5~60重量%的铁族金属,0.1~30重量%的IVa、Va、VIa、VIIa族金属的氮化物,余部由银形成,其中碳化物和氮化物分散于铁族金属和银中。
另外,在日本特开昭58-11754号公报(以下称作专利文献2)中公开了这样的电触点材料,该电触点材料含有:5~70重量%的碳化钨等日本元素周期表IVa、Va、VIa族金属的碳化物,1~11重量%的石墨,5~60重量%的铁族金属,0.1~5重量%的IVa、Va、VIa、VIIa族金属,余部由银形成,其中碳化物和IVa、Va、VIa、VIIa族金属固溶或分散于铁族金属和银中。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开昭58-11753号公报
专利文献2:日本特开昭58-11754号公报
发明内容
发明要解决的问题
由于碳化钨等耐热性非氧化物与银的润湿性差,因此上述电触点材料不是由熔融法、而是由粉末冶金法制造的。在粉末冶金法中,对起始原料粉末进行压缩成形,制成成形体,然后对该成形体进行烧结。在这样得到的烧结体中,所结合的粉末颗粒之间存在间隙(气孔)。
因此,由于所获得的电触点材料的相对密度低、且未致密化,因此其导电率变低。于是,在使用该电触点材料构成的断路器中,遮断时在触点处产生的热变多。因此,产生这样的问题:所获得的电触点材料的耐熔敷性、耐消耗性以及温度性能劣化。
为了解决这样的问题,在专利文献1和专利文献2所记载的电触点材料的制造方法中,通过对烧结体进行再加压,使相对密度增加。然而,此方法所获得的相对密度不足95%。因此,电触点材料的导电率变低。由此使电触点材料的耐熔敷性、耐消耗性以及温度性能变得不足。需要说明的是,为了解决这个问题,需要使电触点材料的触点面积变大。
因此,本发明的目的是提供耐熔敷性、耐消耗性以及温度性能优异的电触点材料。
解决问题的方法
根据本发明的电触点材料含有超过30质量%且小于或等于55质量%的碳化钨、2质量%以上5质量%以下的石墨,余部含有银和不可避免的杂质,该电触点材料的相对密度为98.0%以上、氧含量为450ppm以下、导电率为45%IACS以上、抗弯强度为350MPa以上。
在本发明的电触点材料中,优选碳化钨的平均粒径为0.5μm以上5μm以下。
另外,在本发明的电触点材料中,优选石墨的平均粒径为1μm以上50μm以下。
发明效果
根据本发明,由于相对密度为98.0%以上、氧含量为450ppm以下、导电率为45%IACS以上、抗弯强度为350MPa以上,因此可以提供耐熔敷性、耐消耗性以及温度性能优异的电触点材料。
附图简要说明
图1是示出固定侧触点部件和可动侧触点部件的关闭状态中的配置关系的侧面图,其中,所述固定侧触点部件和所述可动侧触点部件构成了其中装有作为本发明一个实施方案的电触点材料的断路器;
图2是示出固定侧触点部件和可动侧触点部件的打开状态中的配置关系的侧面图,其中,所述固定侧触点部件和所述可动侧触点部件构成了其中装有作为本发明一个实施方案的电触点材料的断路器。
具体实施方案
首先,对装有作为本发明一个实施方案的电触点材料的断路器的结构进行说明。
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