[发明专利]包含铅-碲-硼-氧化物的厚膜浆料以及它们在制造半导体装置中的用途

权利要求书

1.厚膜浆料组合物，包含：

a)基于所述组合物中的总固体计，85至99.5重量%的导电金属或其衍生物；

b)基于固体计0.5至15重量%的铅-碲-硼-氧化物；和

c)有机介质。

2.根据权利要求1所述的厚膜浆料，其中所述导电金属包括银。

3.根据权利要求1所述的厚膜浆料，其中所述铅-碲-硼-氧化物中的铅与碲的摩尔比介于5/95和95/5之间。

4.根据权利要求1所述的厚膜浆料，其中所述铅-碲-硼-氧化物包含：

25-75重量%的PbO、

10-70重量%的TeO₂、

0.1-15重量%的B₂O₃、

以及0-20.0重量%的选自下列的组分：PbF₂、SiO₂、Bi₂O₃、BiF₃、LiO₂、SnO₂、AgO₂、ZnO、V₂O₅、Al₂O₃、Na₂O、TiO₂、CuO、ZrO₂和CeO₂。

5.根据权利要求4所述的厚膜浆料，其中所述铅-碲-硼-氧化物还包含：0.1-5重量%的TiO₂。

6.根据权利要求5所述的厚膜浆料，其中所述有机介质还包括选自溶剂、稳定剂、表面活性剂和增稠剂的一种或多种添加剂。

7.根据权利要求1所述的厚膜浆料，其中所述导电金属为所述固体的90-95重量%。

8.根据权利要求1所述的厚膜浆料，其中所述铅-碲-硼-氧化物为至少部分结晶的。

9.根据权利要求4所述的厚膜浆料，还包含选自下列的添加剂：PbF₂、SiO₂、Na₂O、K₂O、Rb₂O、Cs₂O、Al₂O₃、MgO、CaO、SrO、BaO、V₂O₅、ZrO₂、MoO₃、Mn₂O₃、Ag₂O、ZnO、Ga₂O₃、GeO₂、In₂O₃、SnO₂、Sb₂O₃、Bi₂O₃、BiF₃、P₂O₅、CuO、NiO、Cr₂O₃、Fe₂O₃、CoO、Co₂O₃和CeO₂。

10.根据权利要求1所述的厚膜浆料，其中所述铅-碲-硼-氧化物还包含选自Si、Na、K、Rb、Cs、Mg、Ca、Sr、Ba、V、Zr、Mo、Mn、Zn、B、P、Se、Sn、Ga、Ge、In、Sb、Bi、Ce、Cu、F、Ni、Cr、Fe、Co和Ag的一种或多种元素的氧化物。

11.方法，包括：

(a)提供半导体基底，其包括沉积到所述半导体基底的至少一个表面上的一个或多个绝缘膜；

(b)将厚膜浆料组合物施加到所述绝缘膜的至少一部分上以形成层状结构，其中所述厚膜浆料组合物包含：

i)基于所述组合物中的总固体计，85至99.5重量%的导电金属或其衍生物；

ii)基于固体计0.5至15重量%的铅-碲-硼-氧化物；和

iii)有机介质；以及

(c)焙烧所述半导体基底、绝缘膜和厚膜浆料，以形成与所述绝缘层接触并与所述半导体基底电接触的电极。