[发明专利]隐私保护滤光片及其制造方法

权利要求书

1.一种隐私保护滤光片，包括：

第一透明基板；

第二透明基板，其以与第一透明基板间隔预定的距离且相对地设置；

电解质，其填充在第一透明基板和第二透明基板之间；和

第二透明导电层，其设置在电解质与第二透明基板之间，

其中第一透明基板包括：

具有线栅和沟槽的凸凹图形，其形成于第一透明基板上；

第一透明导电层，其形成于凸凹图形的线栅和沟槽上；和

电致变色层，其沿着线栅的侧壁在第一透明导电层上形成，并且包含电致变色材料以根据是否施加电信号来透射或吸收可见光。

2.根据权利要求1所述的隐私保护滤光片，其中，所述电致变色层还形成在凸凹图形的线栅顶部和沟槽底部上的第一透明导电层上。

3.根据权利要求1所述的隐私保护滤光片，其中，所述电致变色层为包括普鲁士蓝或过渡金属氧化物的无机材料。

4.根据权利要求3所述的隐私保护滤光片，其中，所述电致变色层为普鲁士蓝。

5.根据权利要求3所述的隐私保护滤光片，其中，所述电致变色层包括作为过渡金属氧化物的WO₃或LiNiO₂。

6.根据权利要求1所述的隐私保护滤光片，其中，所述凸凹图形具有如下图形结构：线栅和沟槽的宽度为10μm或小于10μm，以及由下面的公式1表示的沟槽深宽比(深度与宽度比)至少为2，

[公式1]

沟槽深宽比=沟槽深度/沟槽宽度。

7.根据权利要求1所述的隐私保护滤光片，其中，所述凸凹图形为由光敏剂形成的绝缘层。

8.根据权利要求1所述的隐私保护滤光片，其中，所述电致变色层的厚度为10nm至1μm。

9.根据权利要求1所述的隐私保护滤光片，其中，在所述凸凹图形的线栅和沟槽内部上的所述第一透明导电层的侧壁厚度为20至200nm。

10.根据权利要求1所述的隐私保护滤光片，其中，所述第一透明导电层和所述第二透明导电层选自导电金属膜、ITO、FTO和ZnO中。

11.根据权利要求1所述的隐私保护滤光片，其中，所述第一透明基板和所述第二透明基板为透明玻璃、聚合物膜或透明塑料基板。

12.根据权利要求1所述的隐私保护滤光片，还包括：

用于固定所述第一透明基板和所述第二透明基板的间隔物。

13.一种用于制造隐私保护滤光片的方法，包括：

(a)在第一透明基板上形成具有线栅和沟槽的凸凹图形；

(b)在凸凹图形上形成第一透明导电层；

(c)在凸凹图形的第一透明导电层上形成电致变色层；和

(d)利用其上形成有第二透明导电层的第二透明基板将间隔物设置在步骤(c)的基板和第二透明基板之间，注入电解质，然后使两个基板结合并密封在一起。

14.根据权利要求13所述的方法，还包括：

在步骤(c)在第一透明导电层上形成电致变色层之后，对在线栅顶部和沟槽底部上的第一透明导电层上形成的电致变色层进行干法蚀刻。

15.根据权利要求14所述的方法，其中，所述干法蚀刻采用ICP-RIE(电感耦合等离子体反应离子蚀刻)。

16.根据权利要求13所述的方法，其中，所述形成电致变色层的步骤(c)包括在30至60μA/cm²的电流密度下采用电沉积电镀法形成普鲁士蓝或过渡金属化合物。

17.根据权利要求13所述的方法，其中，所述形成凸凹图形的步骤(a)包括采用光刻法、母模成型法或物理加工法在所述第一透明基板上形成凸凹图形。

18.根据权利要求17所述的方法，其中，在所述形成凸凹图形的步骤(a)中所述光刻法包括将用于形成绝缘层的物质的涂料施用到所述第一透明基板上，并进行掩模曝光以形成凸凹图形。

19.根据权利要求17所述的方法，其中，在所述形成凸凹图形的步骤(a)中所述母模成型法包括用母模复制膜以形成凸凹图形。