[发明专利]改性有机电子器件中的电极的方法

权利要求书

1.改性有机电子器件中的电极的方法，包含步骤：

a）提供包含第一金属的一个电极，或者两个或更多个电极，

b）向所述一个或多个电极上沉积第二金属的层，所述第二金属具有比第一金属更高的标准电极电位，

c）任选地，将所述第二金属的层暴露于包含有机化合物的组合物，其中所述有机化合物含有与所述第二金属的表面相互作用的官能团，以及

d）向所述一个或多个电极上和/或所述电极之间的区域内沉积有机半导体层。

2.根据权利要求1的方法，特征在于所述第二金属具有比第一金属更高的功函数。

3.根据权利要求1或2的方法，特征在于所述第一金属选自Cu、Al、Sn和Zn。

4.根据权利要求1至3的一项或多项的方法，特征在于所述第二金属选自Ag、Au、Co、Cu、Ir、Ni、Pd、Pt、Rh和Re。

5.根据权利要求1至4的一项或多项的方法，特征在于所述第二金属的层是通过无电镀沉积的。

6.根据权利要求1至5的一项或多项的方法，特征在于所述第二金属的层是通过离子交换过程沉积的。

7.根据权利要求1至6的一项或多项的方法，特征在于所述第二金属的层是通过将电极浸入含有所述第二金属的离子的浴中而沉积的。

8.根据权利要求7的方法，特征在于所述浴不含任何所述第二金属离子的还原剂。

9.根据权利要求7或8的方法，特征在于所述浴含有有机化合物，所述有机化合物含有与所述第二金属的表面相互作用的官能团。

10.根据权利要求7至9的一项或多项的方法，特征在于所述浴含有一种或多种选自离子络合剂、缓冲剂、稳定剂、盐、酸和碱的添加剂。

11.根据权利要求1至10的一项或多项的方法，特征在于所述第二金属具有与第一金属类似的或者比第一金属低的功函数，并且在第二金属层上施加有机化合物的自组装单层，所述有机化合物含有与所述第二金属的表面相互作用的官能团。

12.根据权利要求1至11的一项或多项的方法，特征在于所述含有与所述第二金属的表面相互作用的官能团的有机化合物选自脂肪族或者芳族的硫醇、脂肪族或芳族的二硫醇、低聚噻吩、低聚亚苯基、脂肪族或者芳族的二硫化物、氰基喹啉烷基二硫化物、硅烷、氯硅烷、硅氮烷、六甲基二硅氮烷（HMDS）、三唑、四唑、咪唑和吡唑、羧酸如二十烷酸、膦酸、膦酸酯、9-蒽膦酸酯，所有这些任选地被取代，金属氧化物，氧化银和氧化钼。

13.根据权利要求1至12的一项或多项的方法，另外包含步骤：将栅绝缘体层沉积到OSC层上，将栅电极沉积到所述栅绝缘体层上，并任选地将钝化层沉积到栅电极上。

14.制备有机电子器件的方法，包含根据权利要求1至13的一项或多项的方法。

15.由根据权利要求14的方法得到的或者可得到的有机电子器件。

16.根据权利要求15的有机电子器件，特征在于它是有机场效应晶体管(OFET)、有机薄膜晶体管(OTFT)、集成电路(IC)的元件、射频识别(RFID)标签、有机发光二极管(OLED)、电致发光显示器、平板显示器、背光灯、光检测器、传感器、逻辑电路、存储元件、电容器、有机光伏(OPV)电池、电荷注入层、肖特基二极管、平坦化层、抗静电膜、导电基底或图案、光电导体、光感受器、电子照相器件或静电印刷器件。

17.根据权利要求15或16的电子器件，特征在于其是顶栅或底栅OFET。