[发明专利]多层粘合片及电子元件的制造方法

说明书

技术领域

本发明关于多层粘合片以及使用多层粘合片的电子元件的制造方法。

背景技术

作为IC等电子元件的制造方法，广泛地进行下述方法：在硅、镓-砷等半导体晶圆上形成电路图案后制成电子元件集合体，将电子元件集合体贴附于由基材膜层与粘合层所构成的粘合片上，再将其固定于环形架（ring frame），然后切割分离（dicing）成各个半导体芯片，并根据需要将膜进行扩展（expand），拾取半导体芯片，将半导体芯片用粘合剂固定于引线框架（lead frame）等。

在该制造方法中，提出一种使用多层粘合片（芯片贴膜（die attach film）一体化片）的方法，该多层粘合片通过将芯片贴膜与粘合片层合并一体化，而兼具作为切割用粘合片的功能，以及作为将芯片固定于引线框架等的粘合剂的功能（专利文献1及专利文献2）。通过将芯片贴膜一体化片用于电子元件的制造，可省略粘合剂的涂布步骤，与使用粘合剂的方法相比，具有可控制粘合剂部分的厚度以及抑制溢出的优点。

〔现有技术文献〕

〔专利文献〕

专利文献1：日本特开2006-049509号公报

专利文献2：日本特开2007-246633号公报

发明内容

通常，在多层粘合片的芯片贴膜中使用丙烯酸树脂、环氧树脂、聚酰胺树脂等一般的粘合剂材料。特别是当使用丙烯酸酯共聚物作为构成芯片贴膜的材料时，能够提高保存稳定性、成膜性。但是，含有丙烯酸酯共聚物的芯片贴膜与粘合片的粘合层的粘结强度过高，拾取半导体芯片时，芯片贴膜难以从粘合层剥离，存在半导体芯片的拾取性差的情形。

本发明是鉴于上述情况而完成的，本发明人发现，通过使构成多层粘合片的粘合层的粘合剂为特定的组成，即使在将丙烯酸酯共聚物用于芯片贴膜的情况下，也容易在拾取时剥离粘合层与芯片贴膜，从而能够容易地进行切割后的半导体芯片的拾取作业，于是完成了本发明。

即，本发明涉及下述多层粘合片及使用多层粘合片的电子元件的制造方法。

（1）、一种多层粘合片，其具有基材膜、层合于基材膜的一侧表面的粘合层、及层合于粘合层的露出面的芯片贴膜；构成粘合层的粘合剂含有（甲基）丙烯酸酯共聚物（A）、紫外线聚合性化合物（B）、多官能异氰酸酯硬化剂（C）、光聚合引发剂（D）、及硅氧烷聚合物（E）；（甲基）丙烯酸酯共聚物（A）为（甲基）丙烯酸酯单体的共聚物或（甲基）丙烯酸酯单体与乙烯系化合物单体的共聚物的任一者，（甲基）丙烯酸酯单体与乙烯系化合物单体皆不具羟基；紫外线聚合性化合物（B）是由氨基甲酸酯丙烯酸酯低聚物（B1）与多官能（甲基）丙烯酸酯（B2）所构成，氨基甲酸酯丙烯酸酯低聚物（B1）具有10个以上乙烯基，重均分子量Mw为50000以上，且上述重均分子量Mw与数均分子量Mn的比，即分散度Mw/Mn为5以上；光聚合引发剂（D）具有羟基；硅氧烷聚合物（E）具有羟基；在构成粘合层的粘合剂中，（甲基）丙烯酸酯共聚物（A）为100质量份，紫外线聚合性化合物（B）为5～200质量份，多官能异氰酸酯硬化剂（C）为0.5～20质量份，光聚合引发剂（D）为0.1～20质量份，及硅氧烷聚合物（E）为0.1～20质量份。

（2）、如（1）记载的多层粘合片，其中氨基甲酸酯丙烯酸酯低聚物（B1）是使以二季戊四醇五丙烯酸酯为主成分的含羟基的丙烯酸酯与异佛尔酮二异氰酸酯的三聚体的异氰酸酯基反应而得到的，多官能（甲基）丙烯酸酯（B2）为二季戊四醇六丙烯酸酯。

（3）、如（1）或（2）记载的多层粘合片，其中，构成芯片贴膜的组合物含有丙烯酸酯共聚物。

（4）、一种电子元件的制造方法，其包含：贴附步骤，使用如（1）至（3）中任一项记载的多层粘合片，并将多层粘合片贴附在硅晶圆及环形架进行固定；切割步骤，利用切割刀片切割硅晶圆，制成半导体芯片；拾取步骤，至少照射紫外线或放射线，并从粘合层拾取芯片及芯片贴膜。

根据本发明的多层粘合片，即使在将丙烯酸酯共聚物使用于芯片贴膜的情况下，在拾取时也容易将粘合片与芯片贴膜之间进行剥离，由此能够容易地进行切割后的芯片拾取作业。

另外，本发明的多层粘合片，除芯片的拾取性外，切割造成的芯片飞离少（芯片保持性），且来自粘合层的成分所造成的芯片贴膜的污染少（防污染性），所以适合用于电子元件的制造方法。

具体实施方式

<术语的说明>