[发明专利]存储器及其形成

权利要求书

1.一种存储器，其包括：

在所述存储器的第一垂直层级处的第一及第二存储器单元；

在所述存储器的第二垂直层级处的第一及第二存储器单元；

选择性地耦合到在所述第一及第二垂直层级处的所述第一存储器单元的第一数据线；及

在所述第一数据线上方且选择性地耦合到在所述第一及第二垂直层级处的所述第二存储器单元的第二数据线。

2.根据权利要求1所述的存储器，其进一步包括选择栅极，所述选择栅极包括耦合到所述第一数据线的第一源极/漏极及耦合到在所述第一及第二垂直层级处的所述第一存储器单元的第二源极/漏极，所述第一源极/漏极与在所述第一及第二垂直层级处的所述第二存储器单元大致垂直对准，且所述第二源极/漏极与在所述第一及第二垂直层级处的所述第一存储器单元大致垂直对准。

3.根据权利要求2所述的存储器，其进一步包括在所述第一及第二垂直层级处的源极/漏极，在所述第一及第二层级处的所述源极/漏极分别耦合到在所述第一及第二垂直层级处的所述第一存储器单元，在所述第一及第二层级处的所述源极/漏极与所述选择栅极的所述第二源极/漏极共同地耦合到导体。

4.根据权利要求2所述的存储器，其中所述第一数据线的第一部分与所述选择栅极的所述第一源极/漏极大致垂直对准，且所述第一数据线的第二部分从所述第一数据线的所述第一部分偏移。

5.根据权利要求4所述的存储器，其中所述第二数据线的第一部分与所述第一数据线的所述第二部分大致垂直对准，且所述第二数据线的第二部分从所述第一数据线的所述第一部分偏移。

6.根据权利要求5所述的存储器，其中所述第二数据线的所述第二部分从所述第一数据线的所述第一部分偏移一中心到中心距离，所述中心到中心距离为在所述第一及第二垂直层级处的所述第一与第二存储器单元之间的中心到中心距离的约两倍。

7.根据权利要求2所述的存储器，其中所述选择栅极为第一选择栅极，且所述存储器进一步包括第二选择栅极，所述第二选择栅极包括耦合到所述第二数据线的第一源极/漏极及耦合到在所述第一及第二垂直层级处的所述第二存储器单元的第二源极/漏极。

8.根据权利要求7所述的存储器，其中所述第二选择栅极的所述第一及第二源极/漏极与在所述第一及第二垂直层级处的所述第二存储器单元大致垂直对准。

9.根据权利要求8所述的存储器，其进一步包括将第二数据线的与所述第一存储器单元大致垂直对准的一部分耦合到所述第二选择栅极的所述第一源极/漏极的导体。

10.根据权利要求1所述的存储器，其中所述第二数据线的一部分横跨所述第一数据线的一部分。

11.根据权利要求1所述的存储器，其中在所述存储器的所述第一垂直层级处的所述第一及第二存储器单元分别与在所述存储器的所述第一垂直层级处的其它第一及第二存储器单元串联耦合，且在所述存储器的所述第二垂直层级处的所述第一及第二存储器单元分别与在所述存储器的所述第二垂直层级处的其它第一及第二存储器单元串联耦合。

12.根据权利要求1所述的存储器，其中在所述存储器的所述第一垂直层级处的所述第一存储器单元中的至少一者与所述第二存储器单元中的至少一者共同地耦合到单个存取线，且在所述存储器的所述第二垂直层级处的所述第一存储器单元中的至少一者与所述第二存储器单元中的至少一者共同地耦合到另一单个存取线。

13.根据权利要求1所述的存储器，其中在所述存储器的所述第一垂直层级处的所述第一及第二存储器单元形成于第一半导体上方，所述第一半导体形成于第一金属层上方，且在所述存储器的所述第二垂直层级处的所述第一及第二存储器单元形成于第二半导体上方，所述第二半导体形成于在所述第一半导体上方形成的第二金属层上方。

14.根据权利要求1所述的存储器，其中所述第二数据线位于所述第一及第二垂直层级下方。