[发明专利]金属化方法、混合物以及电子器件

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

提供基底；和

通过以下步骤在所述基底上或所述基底内形成导电体：

提供包含金属颗粒和无电沉积溶液的混合物，无电沉积金属基体和共沉积所述金属颗粒；或

提供包含金属颗粒和电化学镀溶液的混合物，电化学镀金属基体和共沉积所述金属颗粒。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述金属颗粒和所述金属基体具有基本上相同的组分。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述金属颗粒和所述金属基体具有不同的组分。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述金属基体包含铜，和所述金属颗粒包含铜。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述金属基体包含以下元素中的至少一种：钴、铜、金、铱、铁、钼、镍、锇、钯、铂、铼、铑、钌、银、锡、钨和锌。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述金属颗粒是基本上纯的周期表中的金属元素的颗粒。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述金属颗粒包含至少一种选自由以下元素组成的组的元素：钴、铜、金、铱、铁、钼、镍、锇、钯、铂、铼、铑、钌、银、锡、钨和锌。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述金属颗粒具有的最大尺寸为小于30微米。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述金属颗粒具有的最大尺寸的范围是0.1微米至10微米。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述金属颗粒包含至少一种选自由以下元素组成的组的元素：钴、铜、金、铱、铁、钼、镍、锇、钯、铂、铼、铑、钌、银、锡、钨和锌，且所述金属颗粒具有的最大尺寸为小于30微米。

11.根据权利要求1所述的方法，其中所述金属基体的晶体结构和/或晶粒尺寸与所述金属颗粒的晶体结构和/或晶粒尺寸基本相同。

12.根据权利要求1所述的方法，其中所述金属基体的晶体结构和/或晶粒尺寸与所述金属颗粒的晶体结构和/或晶粒尺寸不相同。

13.根据权利要求1所述的方法，其中所述提供基底包括提供具有一种或多种过孔的基底；且所述在所述基底上或所述基底内形成导电体的步骤包括：

用包含金属颗粒和无电沉积溶液的混合物填充所述一种或多种过孔，在所述一种或多种过孔中无电沉积金属基体和共沉积所述金属颗粒；或

用包含金属颗粒和电化学镀溶液的混合物填充所述一种或多种过孔，在所述一种或多种过孔中电化学镀金属基体和共沉积所述金属颗粒。

14.根据权利要求13所述的方法，其中通过采用具有的最大尺寸为小于30微米的颗粒完成所述填充所述过孔的步骤。

15.根据权利要求13所述的方法，其中所述填充所述过孔包括采用具有的最大尺寸的范围是0.1微米至10微米的金属颗粒。

16.一种用于在基底上或基底内形成铜结构的混合物，所述混合物包括：

包含铜的颗粒，以及包含用于无电沉积包含铜的基体的铜离子的无电沉积溶液；或

包含铜的颗粒，以及包含用于电化学镀包含铜的基体的铜离子的电化学镀溶液。

17.根据权利要求16所述的混合物，其中所述颗粒具有的最大尺寸为小于30微米。

18.根据权利要求16所述的混合物，其中所述颗粒具有的最大尺寸的范围是0.1微米至10微米。

19.根据权利要求16所述的混合物，其中所述无电沉积溶液或所述电化学镀溶液包括一种或多种金属盐、一种或多种还原剂、一种或多种络合剂、一种或多种pH调节剂、一种或多种缓冲剂、一种或多种表面活性剂、和/或一种或多种添加剂。

20.一种电子器件，其包括：

具有一种或多种贯穿基底的过孔的基底；

在所述一种或多种基底过孔的壁上的阻挡层；

包含铜的基体；和

包埋于所述基体中的金属颗粒；

其中所述金属颗粒和包含铜的所述基体基本上填充所述一种或多种过孔。

21.根据权利要求20所述的电子器件，其中所述金属颗粒包含铜。