[发明专利]用于晶片检查或度量设置的数据扰乱有效
申请号: | 201180032278.1 | 申请日: | 2011-06-09 |
公开(公告)号: | CN102985887A | 公开(公告)日: | 2013-03-20 |
发明(设计)人: | G·萨泰森达拉姆;M·马哈德万;A·古普塔;C-H·A·陈;A·库卡尼;J·柯克伍德;K·吴;S·荣 | 申请(专利权)人: | 克拉-坦科股份有限公司 |
主分类号: | G05B19/418 | 分类号: | G05B19/418 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 钱慰民 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 晶片 检查 度量 设置 数据 扰乱 | ||
1.一种用于确定晶片处理的一个或多个参数的计算机实现的方法,包括:
产生一次或多次第一晶片扫描的性能与一次或多次第二晶片扫描的性能之间的差异的模型;
使用所述一次或多次第一晶片扫描来产生对于晶片的结果;
使用所述结果和模型来产生晶片的经扰乱的结果,其中所述经扰乱的结果近似于通过所述一次或多次第二晶片扫描产生的对所述晶片的结果;以及
基于所述经扰乱的结果确定所述晶片处理的一个或多个参数,其中所述晶片处理包括执行一次或多次第二晶片扫描,并且所述方法的步骤是由计算机系统执行的。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,执行所述确定以使所述一次或多次第二晶片扫描的性能与所述一次或多次第一晶片扫描的性能匹配。
3.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述一次或多次第一晶片扫描和一次或多次第二晶片扫描是通过不同的工具执行的。
4.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述一次或多次第一晶片扫描和一次或多次第二晶片扫描是通过同一工具执行的。
5.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法不包括迭代地执行所述方法的两个或更多个步骤。
6.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述一次或多次第一晶片扫描是由第一工具执行的,所述一次或多次第二晶片扫描是由第二工具执行的,并且所述确定是不使用第二工具执行的。
7.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述性能的差异包括在其上执行一次或多次第一晶片扫描和一次或多次第二晶片扫描以产生用于建立模型的结果的晶片上的缺陷属性的差异。
8.如权利要求1所述的方法,其特征在于,生成模型包括识别晶片上一次或多次第一晶片扫描和一次或多次第二晶片扫描所共有的缺陷。
9.如权利要求8所述的方法,其特征在于,生成所述模型还包括标绘出使用一次或多次第一晶片扫描确定的缺陷属性和使用一次或多次第二晶片扫描确定的属性之间的差异相对于使用一次或多次第一晶片扫描确定的属性和使用一次或多次第二晶片扫描确定的属性的平均值的图。
10.如权利要求9所述的方法,其特征在于,生成所述模型还包括将缺陷拆分成与不同平均值对应的多个面元,并且每个面元包括与每个其它面元相同数量的缺陷。
11.如权利要求10所述的方法,其特征在于,生成所述模型进一步包括对于每个面元确定每个面元中的缺陷的属性分布的平均值和∑值。
12.如权利要求11所述的方法,其特征在于,产生经扰乱的结果包括从随机分布中对一个面元抽取一个点,所述点具有针对所述模型中的相应面元确定的平均值和Σ值。
13.如权利要求1所述的方法,其特征在于,还包括在生成所述模型之前,改变一个或多个工具用于执行一次或多次第一晶片扫描和一次或多次第二晶片扫描的一个或多个参数,从而在使用一次或多次第一晶片扫描和一次或多次第二晶片扫描来生成产生模型的结果之前,所述一次或多次第一晶片扫描和所述一次或多次第二晶片扫描彼此匹配。
14.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法是以预定间隔执行的,并且如果在最后两个间隔之后产生的结果或经扰乱的结果彼此相差超过一预定值则使用在最近的间隔之后确定的一个或多个参数执行晶片处理。
15.如权利要求1所述的方法,其特征在于,性能之间的差异包括一次或多次第一晶片扫描和一次或多次第二晶片扫描所共有的一类缺陷属性之间的差异。
16.如权利要求1所述的方法,其特征在于,还包括在晶片的一个层上执行一次或多次第一晶片扫描和一次或多次第二晶片扫描,以产生用于生成模型的结果,其中所述晶片处理将在晶片的其它层或其它晶片的其它层上执行。
17.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述一个或多个参数包括用于执行所述第二晶片扫描的一个或多个参数。
18.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述一个或多个参数包括用于处理由所述第二晶片扫描产生的结果的一个或多个参数。
19.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述晶片处理包括检查或度量。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于克拉-坦科股份有限公司,未经克拉-坦科股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201180032278.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。