[发明专利]碳化硅基板、半导体装置及SOI晶圆无效
| 申请号： | 201180032357.2 | 申请日： | 2011-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN103003937A | 公开（公告）日： | 2013-03-27 |
| 发明（设计）人： | 川本聪;中村将基 | 申请（专利权）人： | 三井造船株式会社;株式会社ADMAP |
| 主分类号： | H01L23/15 | 分类号： | H01L23/15;C30B29/36;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 程凤儒 |
| 地址： | 日本国东京都*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 碳化硅 半导体 装置 soi 晶圆 | ||
1.一种碳化硅基板，其特征在于：具备由多结晶碳化硅构成的第1层、及
由形成于所述第1层的表面上的多结晶碳化硅构成的第2层，
所述第2层具有比所述第1层更小的高频损失，且所述第1层具有比所述第2层更大的热传导率。
2.如权利要求1记载的碳化硅基板，其中，所述第2层的表面侧在频率20GHz的高频损失为2dB/mm以下，热传导率为200W/mK以上。
3.如权利要求1或2记载的碳化硅基板，其中，所述第2层具有所述碳化硅基板的总厚度的20％以下、且10μm以上的厚度。
4.一种碳化硅基板，其特征在于：
具备由多结晶碳化硅构成的第1层、及
由形成于所述第1层的表面上的多结晶碳化硅构成的第2层，
所述第2层具有比所述第1层更大的比电阻，所述第1层具有比所述第2层更大的热传导率。
5.如权利要求4记载的碳化硅基板，其中，所述第2层的表面侧的比电阻为104Ωcm以上，且热传导率为200W/mK以上。
6.如权利要求1～5中任一项记载的碳化硅基板，其中，所述第1层是在含有氮气的气氛中通过CVD法形成的，所述第2层是在不含有氮气的气氛中通过CVD法形成的。
7.一种半导体装置，其特征在于，具备：权利要求1～6中任一项记载的碳化硅基板、及接合于所述碳化硅基板的所述第2层的表面上的半导体元件。
8.一种SOI晶圆，其特征在于，具备：权利要求1～6中任一项记载的碳化硅基板、及形成于所述碳化硅基板的所述第2层的表面上的绝缘层、及形成于所述绝缘层的表面上的硅层。
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