[发明专利]光接收器元件及其制造方法

权利要求书

1.一种光电检测器，所述光电检测器包括在III-V族半导体衬底上的II型多量子阱（MQW）结构的吸收层，并且在包括1.3μm和2.0μm的波长的近红外区域中具有灵敏度，所述II型多量子阱（MQW）结构包含第一化合物半导体和第二化合物半导体的重复结构，其中，

在1.3μm的波长处的灵敏度与在2.0μm的波长处的灵敏度的比率不小于0.5，但不大于1.6。

2.根据权利要求1所述的光电检测器，具有入射光从衬底侧进入所述光电检测器的结构。

3.根据权利要求1或2所述的光电检测器，其中，所述MQW结构的总厚度不小于0.5μm，但不大于3.5μm。

4.根据权利要求1至3中的任何一项所述的光电检测器，其中，所述第一化合物半导体的厚度与所述第二化合物半导体的厚度都不小于0.75nm，但不大于5nm。

5.根据权利要求1至4中的任何一项所述的光电检测器，其中，所述衬底包含InP，并且所述MQW结构包含In_xGa_1-xAs（0.38≤x≤0.68）与GaAs_1-ySb_y（0.36≤y≤0.62）的重复结构。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，InP窗口层提供在包括所述MQW结构并布置在所述InP衬底上的InP基的外延层的前表面，并且在所述InP基的外延层的底表面与所述前表面之间没有形成再生长界面。

7.一种制造光电检测器的方法，所述光电检测器包括在III-V族半导体衬底上的II型多量子阱（MQW）结构的吸收层，并且在包括1.3μm和2.0μm的波长的近红外区域中具有灵敏度，所述II型多量子阱（MQW）结构包含第一化合物半导体和第二化合物半导体的重复结构，其中，

在1.3μm的波长处的灵敏度与在2.0μm的波长处的灵敏度的比率不小于0.5，但不大于1.6。

8.根据权利要求7所述的制造光电检测器的方法，其中，所述光电检测器具有入射光从衬底侧进入所述光电检测器的结构。

9.根据权利要求7或8所述的制造光电检测器的方法，其中，所述MQW结构的总厚度不小于0.5μm，但不大于3.5μm。

10.根据权利要求7至9中的任何一项所述的制造光电检测器的方法，其中，所述第一化合物半导体的厚度与所述第二化合物半导体的厚度都不小于0.75nm，但不大于5nm。

11.根据权利要求7至10中的任何一项所述的制造光电检测器的方法，其中，所述衬底包含InP，并且所述MQW结构包含In_xGa_1-xAs（0.38≤x≤0.68）与GaAs_1-ySb_y（0.36≤y≤0.62）的重复结构。

12.根据权利要求7至11中的任何一项所述的制造半导体器件的方法，其中，

InP窗口层提供在包括所述MQW结构并布置在所述InP衬底上的InP基的外延层的前表面，并且通过仅使用金属有机源的金属有机气相外延在所述InP衬底上一致地生长包括所述MQW结构的所述InP基的外延层与所述InP窗口层。

13.根据权利要求7至12中的任何一项所述的制造光电检测器的方法，其中，

在所述MQW结构的形成工艺中，在不低于400℃，但不高于560℃的温度范围内形成所述MQW结构。