[发明专利]形成互连结构的方法

权利要求书

1.一种在衬底上形成互连结构的方法，所述方法包括以下步骤：

(a)通过第一沉积工艺而在所述衬底的顶表面上和在特征结构的一或多个表面上沉积材料，所述特征结构设置于所述衬底中，所述第一沉积工艺以在所述顶表面上较快的速率而在所述特征结构的底表面上较慢的速率而沉积所述材料；

(b)通过第二沉积工艺而在所述衬底的所述顶表面上和在所述特征结构的一或多个表面上沉积所述材料，所述第二沉积工艺以在所述特征结构的所述底表面上较快的速率而在所述衬底的所述顶表面上较慢的速率而沉积所述材料；以及

(c)加热所沉积的所述材料以朝向所述特征结构的所述底表面吸引所沉积的所述材料，而使所沉积的所述材料至少部分地填充所述特征结构。

2.如权利要求1的方法，所述方法进一步包括以下步骤：

(d)重复(a)至(c)步骤，直到所述特征结构被所沉积的所述材料填满。

3.如权利要求1的方法，其中(b)步骤进一步包括以下步骤：在所述第一沉积工艺期间，以第一RF偏压功率而偏压所述衬底，且其中(c)步骤进一步包括以下步骤：在所述第二沉积工艺期间，以第二RF偏压功率而偏压所述衬底，其中所述第二RF偏压功率大于所述第一RF偏压功率。

4.如权利要求1的方法，其中(a)步骤进一步包括以下步骤：在所述顶表面上和所述特征结构的一或多个表面上选择性地沉积所述材料，以形成第一层，所述第一层至少部分地覆盖所述顶表面和所述特征结构的一或多个表面，且其中(b)步骤进一步包括以下步骤：在所述第一层上和在所述顶表面和所述特征结构的一或多个表面的剩余暴露表面上选择性地沉积所述材料；或者

其中(b)步骤进一步包括以下步骤：在所述顶表面上和所述特征结构的一或多个表面上选择性地沉积所述材料，以形成第一层，所述第一层至少部分地覆盖所述顶表面和所述特征结构的所述一或多个表面，且其中(a)步骤进一步包括以下步骤：在所述第一层上和在所述顶表面和所述特征结构的所述一或多个表面的剩余暴露表面上选择性地沉积所述材料。

5.如权利要求1的方法，其中所述第一沉积工艺具有选择性，所述顶表面与所述底表面的选择性比值为大于约1.0，并且其中所述第二沉积工艺具有选择性，所述顶表面与所述底表面的选择性比值为小于约1.0。

6.如权利要求1的方法，其中(c)步骤进一步包括以下步骤：

以从约150摄氏度至约400摄氏度的温度加热所沉积的所述材料。

7.如权利要求1的方法，所述方法进一步包括以下步骤：

(d)在(c)步骤之后重复所述第一沉积工艺；以及

(e)将所述特征结构的剩余部分用导电材料填充。

8.如权利要求1的方法，其中所述材料为铜、铜合金、铝或锗-锑-碲合金的一种或多种。

9.如权利要求1的方法，其中在步骤(c)的加热后，所述特征结构的所述底表面覆盖有一层所沉积的所述材料。

10.如权利要求9的方法，其中在所述底表面上的所述层的厚度比在所述特征结构的多个侧壁上及邻近所述特征结构的所述衬底的表面上的层的厚度厚。

11.如权利要求9的方法，其中在所述底表面上的所述层为实质上均匀的。

12.一种在设置于衬底中的特征结构中形成一层的方法，所述方法包括以下步骤：

(a)通过第一沉积工艺而在所述衬底的顶表面上和在特征结构内沉积材料，所述特征结构设置于所述衬底中；

(b)通过第二沉积工艺而继续在所述衬底的所述顶表面上和在所述特征结构内沉积所述材料，其中所述第一沉积工艺或所述第二沉积工艺之一以在所述衬底的所述顶表面上较快的速率而在所述特征结构的底表面上较慢的速率而沉积所述材料，且其中所述第一沉积工艺或所述第二沉积工艺的另外之一以在所述特征结构的所述底表面上较快的速率而在所述衬底的所述顶表面上较慢的速率而沉积所述材料；以及

(c)加热所沉积的所述材料以朝所述特征结构的所述底表面吸引所沉积的所述材料，而使所沉积的所述材料至少部分地填充所述特征结构。