[发明专利]光电子组件

权利要求书

1.光电子组件（100），具有

-至少一个发射辐射的半导体器件（1）；

-至少一个转换元件（2），所述转换元件用于转换由所述半导体器件（1）发射的电磁辐射；

-至少一个过滤机构（3），所述过滤机构包括过滤颗粒（31）或者由所述过滤颗粒形成，其中

-所述过滤机构（3）将由所述半导体器件（1）发射的所述电磁辐射的至少一个能够预设的波长范围与和所述能够预设的波长范围不同的波长范围相比更强地散射和/或吸收，并且

-所述过滤颗粒（31）具有以Q₀测量的、最低0.5nm到最高500nm的d₅₀值，和/或

-所述过滤颗粒（31）至少局部地构成是丝状的并且在丝状的区域（31A）中具有最低为0.5nm并且最高为500nm的直径（D）。

2.根据权利要求1所述的光电子组件（100），

其中所述转换元件（2）包括转换颗粒（21）或者由所述转换颗粒形成，并且所述半导体器件（1）在暴露的部位上至少局部地被辐射能穿透的浇注体形状接合地覆盖，其中将所述过滤颗粒（31）和所述转换颗粒（21）引入到所述浇注体中。

3.根据权利要求1或2所述的光电子组件（100），

其中所述过滤机构（3）在所述半导体器件（1）的放射方向上设置在所述转换元件（2）的下游并且与所述转换元件至少间接地接触。

4.根据上述权利要求之一所述的光电子组件（100），

其中所述过滤颗粒（31）由下述材料中的至少一种或由下述材料的至少一种化学化合物形成：Cd、Td、Si、Ag、Au、Fe、Pt、Ni、Se、S、SiO₂、TiO₂、Al₂O₃、Fe₂O₃、Fe₃O₄、ZnO。

5.根据上述权利要求之一所述的光电子组件（100），

其中所述过滤颗粒（31）包括核（311），所述核由第一材料形成，其中所述核（311）至少局部地借助外壳（312）包住，其中所述外壳（312）由第二材料形成并且与所述核（311）直接接触。

6.根据上一项权利要求所述的光电子组件（100），

其中所述核（311）由作为所述第一材料的SiO₂形成并且所述外壳（312）由作为所述第二材料的Au和/或Ag形成。

7.根据上述权利要求之一所述的光电子组件（100），

其中所述组件（100）发射电磁辐射，所述电磁辐射位于CIE色品图的光谱色线（S）上。

8.根据上述权利要求之一所述的光电子组件（100），

其中由所述半导体器件（1）发射的所述电磁辐射的色坐标C_x和C_y分别与由所述组件（100）发射的所述电磁辐射的色坐标相差至少0.005。

9.根据上述权利要求之一所述的光电子组件（100），

其中所述过滤颗粒由Au形成并且具有以Q₀测量的、最低1nm到最高200nm的d₅₀值，其中所述过滤机构（3）将最低530nm到最高770nm的波范围中的电磁辐射与不同于其的波长范围相比更强地散射和/或吸收。

10.根据上述权利要求之一所述的光电子组件（100），

其中所述过滤颗粒由Ag形成并且具有以Q₀测量的、最低1nm到最高200nm的d₅₀值，其中所述过滤机构（3）将最低430nm到最高490nm的波范围中的电磁辐射与不同于其的波长范围相比更强地散射和/或吸收。

11.闪光灯（200），具有

-至少一个根据上述权利要求之一所述的光电子组件（100），和

-至少一个投影面（201），从所述光电子组件（100）中耦合输出的所述电磁辐射射到所述投影面上。