[发明专利]半导体器件及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201180032956.4 申请日: 2011-07-14
公开(公告)号: CN102971853A 公开(公告)日: 2013-03-13
发明(设计)人: 增田健良 申请(专利权)人: 住友电气工业株式会社
主分类号: H01L29/12 分类号: H01L29/12;H01L21/336;H01L29/78
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 李兰;孙志湧
地址: 日本大阪*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 半导体器件 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体器件,包括:

衬底(1、31),所述衬底(1、31)具有主表面;以及

碳化硅层,所述碳化硅层形成在所述衬底(1、31)的所述主表面上,

所述碳化硅层(2至5、32至35、42、43)包括相对于所述主表面倾斜的端表面(20),

在所述碳化硅层(2至5、32至35、42、43)是六方晶型的情况下,所述端表面(20)基本上包括{03-3-8}面和{01-1-4}面之一,并且在所述碳化硅层(2至5、32至35、42、43)是立方晶型的情况下,所述端表面(20)基本上包括{100}面。

2.根据权利要求1所述半导体器件,其中,所述端表面(20)包括有源区。

3.根据权利要求2所述的半导体器件,其中,所述有源区包括沟道区。

4.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,

所述碳化硅层(2至5、32至35、42、43)在其主表面上包括台面结构,所述台面结构具有由所述端表面(20)构成的侧表面,所述主表面与所述碳化硅层(2至5、32至35、42、43)的面对所述衬底(1、31)的表面相反,并且

PN结形成在所述台面结构中。

5.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,所述端表面(20)的至少一部分构成终端结构(46)。

6.一种用于制造半导体器件的方法,包括以下步骤:

制备衬底(1、31),在所述衬底(1、31)上形成有碳化硅层(2至5、32至35、42、43);

在将所述碳化硅层(2至5、32至35、42、43)暴露于包含氧和氯的反应气体的同时,通过利用加热所述碳化硅层(2至5、32至35、42、43)进行的蚀刻而去除所述碳化硅层(2至5、32至35、42、43)的所述主表面的一部分,来形成相对于所述碳化硅层(2至5、32至35、42、43)的主表面倾斜的端表面(20);并且

利用所述端表面(20),形成包括在所述半导体器件中的结构,

在所述碳化硅层(2至5、32至35、42、43)是六方晶型的情况下,所述端表面(20)基本上包括{03-3-8}面和{01-1-4}面之一,并且在所述碳化硅层(2至5、32至35、42、43)是立方晶型的情况下,所述端表面(20)基本上包括{100}面。

7.根据权利要求6所述的用于制造半导体器件的方法,进一步包括以下步骤:在形成所述端表面(20)的步骤之前,在所述碳化硅层(2至5、32至35、42、43)的所述主表面上形成具有图案的掩膜层(17),

其中,在形成所述端表面(20)的步骤中,利用所述掩膜层(17)作为掩膜,执行用于形成沟槽(6)的蚀刻。

8.根据权利要求6所述的用于制造半导体器件的方法,其中,在形成所述端表面(20)的步骤中使用的反应气体中,氧的流量与氯的流量的比率不小于0.1且不大于2.0。

9.根据权利要求6所述的用于制造半导体器件的方法,其中,在形成所述端表面(20)的步骤中,在不小于700℃且不大于1200℃的温度下加热所述碳化硅层(2至5、32至35、42、43)。

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