[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

衬底（1、31），所述衬底（1、31）具有主表面；以及

碳化硅层，所述碳化硅层形成在所述衬底（1、31）的所述主表面上，

所述碳化硅层（2至5、32至35、42、43）包括相对于所述主表面倾斜的端表面（20），

在所述碳化硅层（2至5、32至35、42、43）是六方晶型的情况下，所述端表面（20）基本上包括{03-3-8}面和{01-1-4}面之一，并且在所述碳化硅层（2至5、32至35、42、43）是立方晶型的情况下，所述端表面（20）基本上包括{100}面。

2.根据权利要求1所述半导体器件，其中，所述端表面（20）包括有源区。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述有源区包括沟道区。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

所述碳化硅层（2至5、32至35、42、43）在其主表面上包括台面结构，所述台面结构具有由所述端表面（20）构成的侧表面，所述主表面与所述碳化硅层（2至5、32至35、42、43）的面对所述衬底（1、31）的表面相反，并且

PN结形成在所述台面结构中。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述端表面（20）的至少一部分构成终端结构（46）。

6.一种用于制造半导体器件的方法，包括以下步骤：

制备衬底（1、31），在所述衬底（1、31）上形成有碳化硅层（2至5、32至35、42、43）；

在将所述碳化硅层（2至5、32至35、42、43）暴露于包含氧和氯的反应气体的同时，通过利用加热所述碳化硅层（2至5、32至35、42、43）进行的蚀刻而去除所述碳化硅层（2至5、32至35、42、43）的所述主表面的一部分，来形成相对于所述碳化硅层（2至5、32至35、42、43）的主表面倾斜的端表面（20）；并且

利用所述端表面（20），形成包括在所述半导体器件中的结构，

在所述碳化硅层（2至5、32至35、42、43）是六方晶型的情况下，所述端表面（20）基本上包括{03-3-8}面和{01-1-4}面之一，并且在所述碳化硅层（2至5、32至35、42、43）是立方晶型的情况下，所述端表面（20）基本上包括{100}面。

7.根据权利要求6所述的用于制造半导体器件的方法，进一步包括以下步骤：在形成所述端表面（20）的步骤之前，在所述碳化硅层（2至5、32至35、42、43）的所述主表面上形成具有图案的掩膜层（17），

其中，在形成所述端表面（20）的步骤中，利用所述掩膜层（17）作为掩膜，执行用于形成沟槽（6）的蚀刻。

8.根据权利要求6所述的用于制造半导体器件的方法，其中，在形成所述端表面（20）的步骤中使用的反应气体中，氧的流量与氯的流量的比率不小于0.1且不大于2.0。

9.根据权利要求6所述的用于制造半导体器件的方法，其中，在形成所述端表面（20）的步骤中，在不小于700℃且不大于1200℃的温度下加热所述碳化硅层（2至5、32至35、42、43）。