[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
申请号: | 201180032956.4 | 申请日: | 2011-07-14 |
公开(公告)号: | CN102971853A | 公开(公告)日: | 2013-03-13 |
发明(设计)人: | 增田健良 | 申请(专利权)人: | 住友电气工业株式会社 |
主分类号: | H01L29/12 | 分类号: | H01L29/12;H01L21/336;H01L29/78 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 李兰;孙志湧 |
地址: | 日本大阪*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件,包括:
衬底(1、31),所述衬底(1、31)具有主表面;以及
碳化硅层,所述碳化硅层形成在所述衬底(1、31)的所述主表面上,
所述碳化硅层(2至5、32至35、42、43)包括相对于所述主表面倾斜的端表面(20),
在所述碳化硅层(2至5、32至35、42、43)是六方晶型的情况下,所述端表面(20)基本上包括{03-3-8}面和{01-1-4}面之一,并且在所述碳化硅层(2至5、32至35、42、43)是立方晶型的情况下,所述端表面(20)基本上包括{100}面。
2.根据权利要求1所述半导体器件,其中,所述端表面(20)包括有源区。
3.根据权利要求2所述的半导体器件,其中,所述有源区包括沟道区。
4.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,
所述碳化硅层(2至5、32至35、42、43)在其主表面上包括台面结构,所述台面结构具有由所述端表面(20)构成的侧表面,所述主表面与所述碳化硅层(2至5、32至35、42、43)的面对所述衬底(1、31)的表面相反,并且
PN结形成在所述台面结构中。
5.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,所述端表面(20)的至少一部分构成终端结构(46)。
6.一种用于制造半导体器件的方法,包括以下步骤:
制备衬底(1、31),在所述衬底(1、31)上形成有碳化硅层(2至5、32至35、42、43);
在将所述碳化硅层(2至5、32至35、42、43)暴露于包含氧和氯的反应气体的同时,通过利用加热所述碳化硅层(2至5、32至35、42、43)进行的蚀刻而去除所述碳化硅层(2至5、32至35、42、43)的所述主表面的一部分,来形成相对于所述碳化硅层(2至5、32至35、42、43)的主表面倾斜的端表面(20);并且
利用所述端表面(20),形成包括在所述半导体器件中的结构,
在所述碳化硅层(2至5、32至35、42、43)是六方晶型的情况下,所述端表面(20)基本上包括{03-3-8}面和{01-1-4}面之一,并且在所述碳化硅层(2至5、32至35、42、43)是立方晶型的情况下,所述端表面(20)基本上包括{100}面。
7.根据权利要求6所述的用于制造半导体器件的方法,进一步包括以下步骤:在形成所述端表面(20)的步骤之前,在所述碳化硅层(2至5、32至35、42、43)的所述主表面上形成具有图案的掩膜层(17),
其中,在形成所述端表面(20)的步骤中,利用所述掩膜层(17)作为掩膜,执行用于形成沟槽(6)的蚀刻。
8.根据权利要求6所述的用于制造半导体器件的方法,其中,在形成所述端表面(20)的步骤中使用的反应气体中,氧的流量与氯的流量的比率不小于0.1且不大于2.0。
9.根据权利要求6所述的用于制造半导体器件的方法,其中,在形成所述端表面(20)的步骤中,在不小于700℃且不大于1200℃的温度下加热所述碳化硅层(2至5、32至35、42、43)。
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