[发明专利]在衬底上形成焊料沉积的方法有效
| 申请号： | 201180033258.6 | 申请日： | 2011-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN103026475A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | S.兰普雷希特;K-J.马特雅特;I.埃沃特;S.肯尼 | 申请（专利权）人： | 安美特德国有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L23/498 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 蒋骏;朱海煜 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 衬底 形成 焊料 沉积 方法 | ||
1.一种在衬底上形成焊料沉积的方法，其包括下述步骤：
a. 提供包括铜或铜合金表面101的衬底，该衬底包括至少一个内层接触焊盘102，
b. 贯穿铜表面101形成用于所述至少一个内层接触焊盘102的开口104，
c. 将包括开口104和至少一个内层接触焊盘102的整个衬底表面与适于在衬底表面上提供导电层105的溶液相接触，
d. 沉积和图案化抗蚀剂层106，从而使所述至少一个内层接触焊盘102暴露，
e. 将由锡或锡合金构成的焊料沉积层108电镀到所述开口104中，
f. 去除所述抗蚀剂层106，
g. 通过蚀刻来去除未被焊料沉积层108覆盖的裸露的导电层105和处于未被锡或锡合金层覆盖的所述导电层105之下的铜或铜合金表面101，
其中，所述焊料沉积层108具有蚀刻抗蚀剂的功能，
h. 施加焊料抗蚀剂层112，并形成焊料抗蚀剂开口113，从而使焊料沉积层108暴露。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，在步骤d.中还形成用于金属抗蚀剂107的开口，其在步骤e.中通过电镀锡或锡合金来用所述图案化的金属抗蚀剂层109进行填充。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，应用下述附加过程步骤：
g2 将锡蚀刻抗蚀剂层114沉积到焊料沉积层108上，并去除层109，以及
g3 从所述焊料沉积层108去除所述锡蚀刻抗蚀剂层114。
4.根据权利要求1到3所述的方法，其中，通过蚀刻来去除金属抗蚀剂层109。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，在权利要求1中的步骤c.和步骤d.之间沉积附加的金属层115。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，在权利要求1中的步骤d.和步骤e.之间沉积附加的金属层115。
7.根据前述权利要求中的任何一项所述的方法，其中，将中间焊料沉积顶层121沉积到所述焊料沉积层108上。
8.根据前述权利要求中的任何一项所述的方法，其中，所述导电种层105从由以下构成的组中选择：铜、镍、银、其合金以及前述金属和合金的多层。
9.根据前述权利要求中的任何一项所述的方法，其中，向衬底施加回流处理，以使焊料沉积层108和焊料抗蚀剂层112被附着。
10.根据前述权利要求中的任何一项所述的方法，其中，所述内层接触焊盘102包括通孔或沟槽。
11.根据前述权利要求中的任何一项所述的方法，其中，所述衬底是印刷电路板、IC衬底或插入机构。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
