[发明专利]含氟芳香族化合物、有机半导体材料和有机薄膜器件

权利要求书

1.由下述式（1）表示的含氟芳香族化合物，

式（1）中的符号如下所示，

Q：具有环结构且除去与构成所述环的碳原子键合的n个氢原子而得的n价芳香族烃基，所述环结构选自由1个苯环或1个含有杂原子的杂环构成的单环结构、2个以上该苯环或杂环以单键键合而成的多环集合结构、以及2个以上所述苯环或杂环的稠合多环结构，

n：2或3，

W：具有碳原子数为2的不饱和键的2价烃基，

Ar^F：是具有由1个苯环构成的单环结构或2个以上苯环的稠合多环结构并除去与构成所述环的碳原子键合的k＋1个氢原子而得的k＋1价的基团，并且是与构成所述环的碳原子键合的1个以上氢原子被氟原子取代而得的k＋1价的含氟芳香族烃基，

k：1～3的整数，

Z：选自－R、－OR、－CH₂－OR、－R^f、－O－（CH₂）_p－R^f、－CH₂－O－（CH₂）_p－R^f中的1价有机基团，其中，R是碳原子数1～12的烷基，R^f是碳原子数1～12的氟取代烷基，p是0～2的整数。

2.如权利要求1所述的含氟芳香族化合物，其中，在所述式（1）中，n为2，且2个（W－Ar^F（Z）_k）单元相同。

3.如权利要求1或2所述的含氟芳香族化合物，其中，在所述式（1）中，Q是从萘或三联噻吩中除去n个氢原子而得的n价芳香族烃基。

4.如权利要求1～3中任一项所述的含氟芳香族化合物，其中，在所述式（1）中，W是由下式表示的亚乙炔基，

-C≡C-。

5.如权利要求1～4中任一项所述的含氟芳香族化合物，其中，在所述式（1）中，Ar^F是k＋1价全氟芳香族烃基。

6.如权利要求1～5中任一项所述的含氟芳香族化合物，其中，在所述式（1）中，k为1，k＋1价的含氟芳香族烃基是四氟－1，4－亚苯基或六氟－2，6－亚萘基。

7.如权利要求1～6中任一项所述的含氟芳香族化合物，其中，在所述式（1）中，k为1，Z是－OR或－R^f。

8.一种有机半导体材料，含有权利要求1～7中任一项所述的含氟芳香族化合物。

9.一种有机薄膜器件，由在基板上具有栅极电极、栅极绝缘层、有机半导体层、源电极和漏电极的有机薄膜晶体管构成，

所述有机半导体层含有权利要求1～7中任一项所述的含氟芳香族化合物。

10.一种有机薄膜器件，由在基板上具有阳极、1层以上结构的有机化合物层和阴极的有机EL元件构成，

所述有机化合物层含有权利要求1～7中任一项所述的含氟芳香族化合物。