[发明专利]扩散剂组合物及杂质扩散层的形成方法

权利要求书

1.一种扩散剂组合物，其特征在于，其是用于向半导体基板扩散掺杂剂成分的扩散剂组合物，其含有：

硅化合物(A)、

掺杂剂成分(B)、和

非掺杂剂金属成分(C)，

其中，作为所述非掺杂剂金属成分(C)而含有的Na的含量相对于组合物整体小于60ppb。

2.根据权利要求1所述的扩散剂组合物，其中，所述掺杂剂成分(B)含有III族元素或V族元素的化合物。

3.根据权利要求1或2所述的扩散剂组合物，其中，所述硅化合物(A)是选自SiO₂微粒、及将下述通式(1)表示的烷氧基硅烷水解而得到的反应产物中的至少1种，

式(1)中，R¹为氢原子、烷基、或芳基，R²为烷基或芳基，m表示0、1、或2的整数，存在多个R¹时，多个R¹可以相同也可以不同，存在多个(OR²)时，多个(OR²)可以相同也可以不同。

4.根据权利要求1所述的扩散剂组合物，其还含有表面活性剂(D)。

5.根据权利要求1所述的扩散剂组合物，其还含有溶剂成分(E)。

6.一种杂质扩散层的形成方法，其特征在于，包括以下工序：

在半导体基板上涂布权利要求1所述的扩散剂组合物而形成扩散层的工序；和

使所述扩散剂组合物的掺杂剂成分(B)扩散到所述半导体基板中的扩散工序。

7.根据权利要求6所述的杂质扩散层的形成方法，其中，所述扩散层的形成工序包括印刷扩散剂组合物而形成图案的图案形成工序。

8.根据权利要求6或7所述的杂质扩散层的形成方法，其中，所述半导体基板被用于太阳能电池。