[发明专利]具有基本平坦的顶表面的通孔

权利要求书

1.一种形成半导体结构的方法，包括：

在非导电结构中形成开口，所述开口暴露导电结构，所述非导电结构具有顶表面；

淀积第一导电层，以接触所述非导电结构，所述第一导电层铺垫所述开口并且接触所述导电结构；

淀积第二导电层，以接触所述第一导电层；

去除所述第二导电层和所述第一导电层，以暴露所述非导电结构的顶表面，并且在所述开口中形成通孔，所述通孔具有顶表面；

淀积第三导电层，以接触所述非导电结构和所述通孔；

淀积第四导电层，以接触所述第三导电层；和

去除所述第四导电层和所述第三导电层，以暴露所述非导电结构的顶表面。

2.根据权利要求1所述的方法，其中在去除了所述第四导电层和所述第三导电层之后，所述通孔的整个顶表面是基本平坦的。

3.根据权利要求2所述的方法，其中在去除了所述第四导电层和所述第三导电层之后，所述非导电结构的顶表面和所述通孔的顶表面基本位于共同的平面内。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述通孔具有腔体，所述第三导电层铺垫所述腔体。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述第四导电层填充所述腔体。

6.根据权利要求3所述的方法，其中：

所述第一导电层和所述第三导电层包括相同的导电材料；和

所述第二导电层和所述第四导电层包括相同的导电材料。

7.根据权利要求3所述的方法，其中：

通过化学机械抛光去除所述第二导电层和所述第一导电层；和

通过化学机械抛光去除所述第四导电层和所述第三导电层。

8.根据权利要求3所述的方法，其中：

所述第一导电层和所述第三导电层是钛/氮化钛；和

所述第二导电层和所述第四导电层是钨。

9.一种形成半导体结构的方法，包括：

在非导电结构上形成开口，所述开口暴露导电结构，所述非导电结构具有顶表面；

淀积第一导电层，以接触所述非导电结构，所述第一导电层铺垫所述开口并且接触所述导电层；

淀积第二导电层，以接触所述第一导电层；

去除所述第二导电层和所述第一导电层，以暴露所述非导电结构的顶表面，并且在所述开口中形成通孔；和

淀积第三导电层，以接触所述非导电结构和所述通孔，所述第一导电层和所述第三导电层包括相同的导电材料。

10.根据权利要求9所述的方法，进一步包括淀积第四导电层，以接触所述第三导电层。

11.根据权利要求10所述的方法，进一步包括去除所述第四导电层和所述第三导电层，以暴露所述非导电结构的顶表面。

12.根据权利要求11所述的方法，其中所述通孔具有腔体，所述第三导电层铺垫所述腔体。

13.根据权利要求12所述的方法，其中所述第四导电层填充所述腔体。

14.根据权利要求11所述的方法，其中所述第二导电层和所述第四导电层包括相同的导电材料。

15.根据权利要求11所述的方法，其中：

通过化学机械抛光去除所述第二导电层和所述第一导电层；和

通过化学机械抛光去除所述第四导电层和所述第三导电层。

16.根据权利要求11所述的方法，其中：

所述第一导电层和所述第三导电层是钛/氮化钛；和

所述第二导电层和所述第四导电层是钨

17.一种半导体结构，包括：

导电结构；

非导电结构；和

通孔，所述通孔具有顶表面，所述通孔的整个顶表面是基本平坦的，所述通孔具有：

第一导电材料，所述第一导电材料接触所述导电结构和所述非导电结构；

第二导电材料，所述第二导电材料接触所述第一导电材料并且与所述非导电结构隔开；和

第三导电材料，所述第三导电材料接触所述第二导电材料并且与所述第一导电材料隔开。

18.根据权利要求17所述的半导体结构，其中所述通孔进一步包括第四导电材料，所述第四导电材料接触所述第三导电材料并且与所述第二导电材料隔开。