[发明专利]导电层压结构、电互连件及形成电互连件的方法有效
申请号: | 201180033816.9 | 申请日: | 2011-06-07 |
公开(公告)号: | CN103003921A | 公开(公告)日: | 2013-03-27 |
发明(设计)人: | 古尔特杰·S·桑胡 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | H01L21/28 | 分类号: | H01L21/28 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 宋献涛 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 导电 层压 结构 互连 形成 方法 | ||
1.一种导电层压结构,其包括夹在一对非石墨烯区之间的石墨烯区。
2.根据权利要求1所述的层压结构,其中所述石墨烯区为少于5个石墨烯单层厚。
3.根据权利要求1所述的层压结构,其中所述石墨烯区为从1到3个石墨烯单层厚。
4.根据权利要求1所述的层压结构,其中所述非石墨烯区中的至少一者为导电的。
5.根据权利要求1所述的层压结构,其中所述非石墨烯区中的至少一者为电绝缘的。
6.根据权利要求1所述的层压结构,其中所述石墨烯区与非石墨烯区嵌套在彼此内。
7.根据权利要求6所述的层压结构,其中所述非石墨烯区中的至少一者包括一种或一种以上金属。
8.根据权利要求6所述的层压结构,其中所述非石墨烯区中的至少一者包括铜及镍中的一者或两者。
9.一种电互连件,其包括:
导电层压结构;所述层压结构包括嵌套在彼此内的多个区;所述嵌套区中的一者为石墨烯区且所述嵌套区中的其它者为非石墨烯区;所述石墨烯区夹在一对非石墨烯区之间;所述层压结构包括含有所述石墨烯区的段及所述非石墨烯区的段的最上部表面;所述非石墨烯区中的至少一者为导电的;
电绝缘材料,其在所述层压结构的上部表面上方,且具有穿过其延伸到所述层压结构的一部分的开口;所述部分与所述层压结构的其它部分的不同之处在于在所述对非石墨烯区之间具有空间而非在所述非石墨烯区之间具有石墨烯;及
导电材料,其在所述开口内及在所述空间内。
10.根据权利要求9所述的电互连件,其中所述非石墨烯区中的所述至少一者包括铜及镍中的一者或两者。
11.根据权利要求9所述的电互连件,所述导电材料包括至少一种金属。
12.一种形成电互连件的方法,其包含:
在电绝缘材料中形成沟槽;
在所述沟槽内形成第一非石墨烯材料以给所述沟槽加衬且形成嵌套在所述第一沟槽内的第二沟槽;
在所述第一非石墨烯材料上方形成石墨烯以给所述第二沟槽加衬且形成嵌套在所述第二沟槽内的第三沟槽;及
在所述第三沟槽内形成第二非石墨烯材料。
13.根据权利要求12所述的方法,其中所述石墨烯为少于5个石墨烯单层厚。
14.根据权利要求12所述的方法,其中所述石墨烯为从1到3个石墨烯单层厚。
15.根据权利要求12所述的方法,其中所述第一及第二非石墨烯材料为彼此相同的组合物。
16.根据权利要求12所述的方法,其中所述第一非石墨烯材料为不同于所述第二非石墨烯材料的组合物。
17.根据权利要求12所述的方法,其中所述第一非石墨烯材料包括至少一种金属。
18.根据权利要求12所述的方法,其中所述第一非石墨烯材料包括铜及镍中的一者或两者。
19.根据权利要求12所述的方法,其中所述第二非石墨烯材料完全填充所述第三沟槽。
20.根据权利要求12所述的方法,其中所述第二非石墨烯材料给所述第三沟槽加衬且形成嵌套在所述第三沟槽内的第四沟槽,且所述方法进一步包括:
在所述第二非石墨烯材料上方形成石墨烯以给所述第四沟槽加衬且形成嵌套在所述第四沟槽内的第五沟槽;及
在所述第五沟槽内形成第三非石墨烯材料。
21.根据权利要求20所述的方法,其中所述第一、第二及第三非石墨烯材料为彼此相同的组合物。
22.根据权利要求20所述的方法,其中所述第一、第二及第三非石墨烯材料中的至少一者为不同于所述第一、第二及第三非石墨烯材料中的其它者的组合物。
23.根据权利要求20所述的方法,其中所述第一、第二及第三非石墨烯材料中的至少一者为电绝缘的。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造