[发明专利]线性批量化学气相沉积系统

权利要求书

1.一种线性批量化学气相沉积(CVD)系统，包括：

一个沉积室；

至少一个基底托架，该基底托架被置于该沉积室中并且具有至少一个被配置成接收一个基底的接收座，这些基底托架被配置成将多个基底以一个线性配置的方式保持；

多个气体喷射器，这些气体喷射器各自包括一个端口，该端口被配置成横过一个或多个这些基底以均匀分布的方式来供应一种气体；以及

一个加热系统，该加热系统包括至少一个加热元件和用于均匀地控制这些基底的温度的一个加热控制模块。

2.如权利要求1所述的线性批量CVD系统，其中该线性配置包括以下各项之一：一条直线、一条曲线以及多条线段的一种组合，其中每条线段都是一条直线或一条曲线。

3.如权利要求1所述的线性批量CVD系统，其中该气体是用于CVD工艺的一种前驱气体。

4.如权利要求1所述的线性批量CVD系统，其中每个接收座都包括使每个基底围绕一条基底轴线浮动并旋转的多个空气喷射器通道。

5.如权利要求4所述的线性批量CVD系统，进一步包括对于每一个接收座来说被配置成由该接收座接收的一个中间基底托架，其中当这些空气喷射器通道是有效的时，每个中间基底托架以及这些基底中的一个对应基底围绕该基底轴线浮动并旋转。

6.如权利要求1所述的线性批量CVD系统，其中该多个气体喷射器包括用于在一个第一方向上供应一种第一气体的一个第一端口以及用于在一个第二方向上供应一种第二气体的一个第二端口。

7.如权利要求6所述的线性批量CVD系统，其中在该第一方向与该第二方向之间限定的一个角是在0°与90°之间。

8.如权利要求1所述的线性批量CVD系统，其中这些气体喷射器包括平行于这些基底托架的长度延伸的至少一对槽缝，其中每对槽缝中的这些槽缝之一供应一种第一气体而每对槽缝中的这些槽缝的另一个供应一种第二气体。

9.如权利要求1所述的线性批量CVD系统，其中这些气体喷射器包括垂直于这些基底托架的长度延伸的多对槽缝，其中每对槽缝中的这些槽缝之一供应一种第一气体而每对槽缝中的这些槽缝的另一个供应一种第二气体。

10.如权利要求8所述的线性批量CVD系统，进一步包括一个平移机构，该平移机构用于使这些槽缝在垂直于这些基底托架的这些长度的一个方向上移动。

11.如权利要求1所述的线性批量CVD系统，其中这些气体喷射器包括供应一种第一气体的一个第一槽缝以及供应一种第二气体的一个第二槽缝，该第一槽缝和该第二槽缝平行于这些基底托架的长度延伸，该CVD系统进一步包括一个平移机构，该平移机构用于使该第一槽缝和该第二槽缝以周期移动的方式在垂直于这些基底托架的长度的一个方向上平移，其中该第一槽缝和该第二槽缝的这些周期移动是不同相的。

12.如权利要求11所述的线性批量CVD系统，其中该多个气体喷射器包括在该基底托架上均匀地间隔开的多个喷射器管，并且其中这些喷射器管各自被配置成供应一种气体，该气体不同于由一个相邻喷射器管供应的一种气体。

13.如权利要求1所述的线性批量CVD系统，其中这些气体被顺序地施加脉冲。

14.如权利要求1所述的线性批量CVD系统，其中该加热元件是一种丝状加热器。

15.如权利要求1所述的线性批量CVD系统，其中该加热元件是一种灯状加热器。

16.如权利要求1所述的线性批量CVD系统，其中该加热元件是一种RF加热器。

17.如权利要求1所述的线性批量CVD系统，其中该加热系统进一步包括与该加热控制模块相连通的一个温度传感器，并且其中该加热控制模块响应于一个感测到的温度来控制这些基底的温度。

18.如权利要求17所述的线性批量CVD系统，其中该温度传感器是一种高温计。

19.如权利要求1所述的线性批量CVD系统，进一步包括一种反射计，该反射计是基于一个基底的反射比以测定一个薄膜厚度并且产生用于在CVD工艺期间控制该薄膜厚度的一种信号。